异质结太阳能电池片的切割方法.pdf
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异质结太阳能电池片的切割方法.pdf
本发明涉及太阳能电池领域,具体公开了一种异质结太阳能电池片的切割方法,其包括如下步骤:用紫外激光从电池片一表面进行至少一次激光切割形成切槽;将电池片裂片。上述切割方法,由于采用紫外激光切割,紫外激光在电池片表面留下的切槽的宽度较窄,并且紫外激光作用于电池片表面时产生热量较小,可以有效保护电池片中的透明导电膜层,从而电池片的性能。另外,由于并不直接将电池片切断,而通过裂片将电池片分离;这样晶体硅层的另一侧的各功能层不用烧结气化,有效保护了这些功能层的性能,进一步降低切割对异质结太阳能电池片的损伤。
异质结太阳能电池片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种异质结太阳能电池片及其制备方法,其中,异质结太阳能电池片包括:单晶硅衬底;在所述单晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层;N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层,设置在所述单晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层顶面;P型微晶硅掺杂层,位于所述单晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层底面;透光导电层,分别设置在所述N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层的顶面和所述P型微晶硅掺杂层的底面;电极,设置在所述透光导电层的表面上。其中,P型微晶硅掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基硼的混合气体沉积而成的层状结构,减少硼原子对
异质结太阳能电池片及其制造方法.pdf
本发明涉及一种制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池包括单晶硅片、隧穿层、N型钝化层、P型钝化层和透光导电层。隧穿层设置在单晶硅片的底表面上;N型钝化层设置在隧穿层的底表面上;P型钝化层设置在单晶硅片的顶表面上;透光导电层设置在P型钝化层的顶表面上。在本发明中,将钝化接触和异质结两种技术结合起来,既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。并且,本发明的制备工序中先制备单晶硅片底表面的掺杂多晶硅再制备其顶表面的非晶硅薄膜,从而可以有效避免底表面的磷绕镀
异质结太阳能电池及其制备方法.pdf
本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法,该方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层;利用等离子体工艺对至少一侧的透明导电层进行等离子体处理;利用原子层沉积在等离子体处理后的透明导电层表面形成氧化锡层;利用等离子体工艺对氧化锡层进行等离子体处理,并进行退火处理;在退火处理后的氧化锡层表面形成种子层;利用电镀工艺在半导体衬底的两侧的种子层表面均分别形成金属电极。本发明可以降低电池的串联电阻,降低电池的制备成本,提升电池结构中
异质结太阳能电池.pdf
本实用新型涉及一种异质结太阳能电池,属于太阳能电池制备技术领域。包括N型单晶硅片,所述N型单晶硅片正面依次沉积有正面本征非晶硅薄膜、本征微晶硅薄膜、n型掺杂微晶硅氧薄膜、n型掺杂微晶硅薄膜、正面TCO膜层和正面金属栅线层,所述N型单晶硅片背面依次沉积有背面本征非晶硅薄膜、p型掺杂非晶硅薄膜、背面TCO膜层和背面金属栅线层。通过设置n型掺杂微晶硅氧薄膜来与正面TCO膜层匹配,使得载流子的迁移率明显提高,降低了TCO薄膜电阻,也降低了与金属栅线之间的接触电阻,扩大了光学带隙,增加了光照利用率,同时降低了寄生吸