异质结太阳能电池及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114447152A(43)申请公布日2022.05.06(21)申请号202210083031.2(22)申请日2022.01.24(71)申请人苏州迈为科技股份有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区芦荡路228号(72)发明人董刚强郁操彭振维赵宇冉孝超(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401专利代理师徐会娟(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/072(2012.01)权利要求书3页说明书14页附图3页(54)发明名称异质结太阳能电池及其制备方法(57)摘要本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层；利用等离子体工艺对至少一侧的透明导电层进行等离子体处理；利用原子层沉积在等离子体处理后的透明导电层表面形成氧化锡层；利用等离子体工艺对氧化锡层进行等离子体处理，并进行退火处理；在退火处理后的氧化锡层表面形成种子层；利用电镀工艺在半导体衬底的两侧的种子层表面均分别形成金属电极。本发明可以降低电池的串联电阻，降低电池的制备成本，提升电池结构中各层与层之间的结合力，能确保电池的光电转换效率。CN114447152ACN114447152A权利要求书1/3页1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层；利用等离子体工艺对至少一侧的所述透明导电层进行等离子体处理；利用原子层沉积在等离子体处理后的所述透明导电层表面形成氧化锡层；利用等离子体工艺对所述氧化锡层进行等离子体处理，并进行退火处理；在退火处理后的所述氧化锡层表面形成种子层，或者在未经等离子体处理的所述透明导电层表面形成种子层；利用电镀工艺在所述半导体衬底的两侧的所述种子层表面均分别形成金属电极。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底任一侧的所述透明导电层进行等离子体处理的工艺条件均包括：所述等离子体采用氧等离子体或氩等离子体；采用所述氧等离子体时，等离子体处理的功率密度为50～200W/m2，处理时间为20～300s；和/或，采用所述氩等离子体时，等离子体处理的功率密度为50～200W/m2，处理时间为20～300s。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成任一侧的所述氧化锡层的工艺条件均包括：将具有经过等离子体处理后的透明导电层的样品放置在原子层沉积设备中，采用四(二甲氨基)锡和二氯二乙基锡中的至少一种作为锡源，在衬底温度为80～210℃条件下，在所述透明导电层表面形成氧化锡层。4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氧化锡层的厚度为0.5nm～20nm。5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底任一侧的所述氧化锡层进行等离子体处理的工艺条件均包括：所述等离子体采用氧等离子体或氩等离子体；采用所述氧等离子体时，等离子体处理的功率密度为200～3000W/m2，处理时间为20～300s；和/或，采用所述氩等离子体时，等离子体处理的功率密度为200～3000W/m2，处理时间为20～300s。6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，对经过等离子体处理后的所述氧化锡层进行退火处理，所述退火处理采用脉冲红外激光退火处理；所述脉冲红外激光退火采用的波长范围为1200～3000nm。7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层包括：在半导体衬底的两侧均分别依次形成本征非晶硅层和掺杂层；利用磁控溅射工艺，在两侧的所述掺杂层表面均分别形成所述透明导电层。8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底的两侧的所述透明导电层均分别包括ITO薄膜、IWO薄膜或AZO薄膜中的至少一种；位于所述半导体衬底两侧的所述透明导电层的材料类型相同或不同。2CN114447152A权利要求书2/3页9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底的两侧的所述透明导电层的厚度均分别为50nm～100nm。10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底的任一侧的所述透明导电层和所述氧化锡层的厚度之和均分别为50nm～120nm。11.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述种子层的方式包括：通过磁控溅射工艺形成所述种子层；和/或，所述种子层包括铜种子层。1