异质结太阳能电池片及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110911505A(43)申请公布日2020.03.24(21)申请号201911319983.4(22)申请日2019.12.19(71)申请人通威太阳能（眉山）有限公司地址620000四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号(72)发明人常青姚骞张家峰马列王秀鹏(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人刘迎春(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/0236(2006.01)H01L31/074(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称异质结太阳能电池片及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池包括单晶硅片、隧穿层、N型钝化层、P型钝化层和透光导电层。隧穿层设置在单晶硅片的底表面上；N型钝化层设置在隧穿层的底表面上；P型钝化层设置在单晶硅片的顶表面上；透光导电层设置在P型钝化层的顶表面上。在本发明中，将钝化接触和异质结两种技术结合起来，既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。并且，本发明的制备工序中先制备单晶硅片底表面的掺杂多晶硅再制备其顶表面的非晶硅薄膜，从而可以有效避免底表面的磷绕镀到顶表面导致电池短路或失效的问题。CN110911505ACN110911505A权利要求书1/2页1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括基体片和设置在所述基体片的顶表面、底表面上的栅线，所述基体片包括：单晶硅片；隧穿层，所述隧穿层设置在所述单晶硅片的底表面上；N型钝化层，所述N型钝化层设置在所述隧穿层的底表面上；P型钝化层，所述P型钝化层设置在所述单晶硅片的顶表面上；透光导电层，所述透光导电层设置在所述P型钝化层层的顶表面上。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型钝化层包括设置在所述单晶硅片的顶表面上的本征薄膜层和设置在所述本征薄膜层的顶表面上的P型薄膜层。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征薄膜层为本征非晶硅薄膜层、本征微晶硅薄膜层和本征纳米硅薄膜层中的一者，所述P型薄膜层为P型非晶硅薄膜层、P型微晶硅薄膜层和P型纳米硅薄膜层中的一者。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型钝化层包括掺杂多晶硅、掺杂碳化硅、掺杂氧化硅中的至少一者。5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型钝化层的厚度为2nm-40nm。6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括在所述N型钝化层的底表面上的减反膜。7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述减反膜为氮化硅减反膜或氮氧化硅减反膜，所述减反膜的厚度为70nm-200nm。8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层为二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的厚度为0.8nm-3nm。9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透光导电层包括氧化铟锡层、掺钨氧化铟层、氧化铟锌层、氧化锌铝层中的至少一者。10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型钝化层的厚度为20nm-300nm。11.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透光导电层为多层结构，各个所述透光导电层在所述非晶硅薄膜层的顶表面上层叠设置，并且在自所述非晶硅薄膜层到所述基体片的顶侧栅线的方向上，各个所述透光导电层的透光性递增。12.一种制造方法，用于制造异质结太阳能电池，所述方法包括设置基体片以及在所述基体片的顶表面、底表面上施加栅线，其特征在于，所述设置基体片的步骤依次包括如下步骤：设置单晶硅片；在所述单晶硅片的底表面上设置隧穿层；在所述隧穿层的底表面上设置N型钝化层；对所述单晶硅片的边缘和顶表面刻蚀以去除其上的磷；在所述单晶硅片的顶表面上设置P型钝化层；在所述P型钝化层上设置透光导电层。2CN110911505A权利要求书2/2页13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述单晶硅片为P型硅片或N型硅片，并且设置单晶硅片的步骤包括：用氢氧化钠或氢氧化钾溶液对所述单晶硅片清洗和制绒，以去除其表面的金属离子和切割损伤层并在其表面形成金字塔绒面。14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述单晶硅片的顶表面上设置P型钝化层的步骤包括：在所述单晶硅片的顶表面上设置本征薄膜层，所述本征薄膜层为本征非晶硅薄膜层、本征微晶硅薄膜层和本征纳米硅薄膜层中的一者；在所述本征薄膜层的顶表面上设置P型薄膜层，所述P型薄膜层为P型非晶硅薄膜层、P型微晶硅薄膜层和P型纳米硅薄膜层