异质结太阳能电池片及其制备方法.pdf
小琛****82
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异质结太阳能电池片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种异质结太阳能电池片及其制备方法,其中,异质结太阳能电池片包括:单晶硅衬底;在所述单晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层;N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层,设置在所述单晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层顶面;P型微晶硅掺杂层,位于所述单晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层底面;透光导电层,分别设置在所述N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层的顶面和所述P型微晶硅掺杂层的底面;电极,设置在所述透光导电层的表面上。其中,P型微晶硅掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基硼的混合气体沉积而成的层状结构,减少硼原子对
异质结太阳能电池及其制备方法.pdf
本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法,该方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层;利用等离子体工艺对至少一侧的透明导电层进行等离子体处理;利用原子层沉积在等离子体处理后的透明导电层表面形成氧化锡层;利用等离子体工艺对氧化锡层进行等离子体处理,并进行退火处理;在退火处理后的氧化锡层表面形成种子层;利用电镀工艺在半导体衬底的两侧的种子层表面均分别形成金属电极。本发明可以降低电池的串联电阻,降低电池的制备成本,提升电池结构中
异质结太阳能电池片及其制造方法.pdf
本发明涉及一种制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池包括单晶硅片、隧穿层、N型钝化层、P型钝化层和透光导电层。隧穿层设置在单晶硅片的底表面上;N型钝化层设置在隧穿层的底表面上;P型钝化层设置在单晶硅片的顶表面上;透光导电层设置在P型钝化层的顶表面上。在本发明中,将钝化接触和异质结两种技术结合起来,既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。并且,本发明的制备工序中先制备单晶硅片底表面的掺杂多晶硅再制备其顶表面的非晶硅薄膜,从而可以有效避免底表面的磷绕镀
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本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,包括N型单晶硅片受光面叠设第一N+扩散层、本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶氧化硅层、第三N型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极;背光面叠设第二N+扩散层、本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极;受光面设置第一N+扩散层,能提供额外的场钝化效果提升少数载流子寿命,背光面引入第二N+层扩散与P型非晶硅层形成更强的PN结内建电场,提高电池转化效率,双面沉积多层非晶硅层,
一种异质结太阳能电池及其制备方法.pdf
本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括:提供硅片;硅片包括相背设置的第一表面和第二表面;在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层,在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层;在第一掺杂层远离硅片的表面沉积第一缓冲层;在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二缓冲层;在第一缓冲层远离硅片的表面沉积第一氧化锡层,在第二缓冲层远离硅片的表面沉积第二氧化锡层,得到电池第一样品;对第一样品进行电镀铜,得到第一电池。采用本方法能够降低生产成本,且可靠性高,提高光利用率。