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本实用新型涉及一种异质结太阳能电池,属于太阳能电池制备技术领域。包括N型单晶硅片,所述N型单晶硅片正面依次沉积有正面本征非晶硅薄膜、本征微晶硅薄膜、n型掺杂微晶硅氧薄膜、n型掺杂微晶硅薄膜、正面TCO膜层和正面金属栅线层,所述N型单晶硅片背面依次沉积有背面本征非晶硅薄膜、p型掺杂非晶硅薄膜、背面TCO膜层和背面金属栅线层。通过设置n型掺杂微晶硅氧薄膜来与正面TCO膜层匹配,使得载流子的迁移率明显提高,降低了TCO薄膜电阻,也降低了与金属栅线之间的接触电阻,扩大了光学带隙,增加了光照利用率,同时降低了寄生吸收,大幅提升了异质结太阳能电池的光学性能。