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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106206859A(43)申请公布日2016.12.07(21)申请号201610813279.4(22)申请日2016.09.09(71)申请人浙江晶科能源有限公司地址314416浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号申请人晶科能源有限公司(72)发明人王东杨洁王金艺黄纪德金井升蒋方丹金浩张昕宇(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人罗满(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0687(2012.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种N型双面电池的制备方法(57)摘要本发明公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:步骤1,对碱制绒后的N型硅片进行湿氧氧化,形成双面氧化硅层;步骤2,对所述N型硅片的第一面均匀旋涂光刻胶层;步骤3,去除所述N型硅片的第二面的氧化硅层;步骤4,去除所述N型硅片的第一面表面的光刻胶层;步骤5,对所述N型硅片的第二面进行硼扩散,形成硼硅玻璃层;步骤6,对所述N型硅片的第二面旋涂光刻胶层;步骤7,去除所述N型硅片的第一面的氧化硅层;步骤8,去除所述N型硅片的第二面表面的光刻胶层;步骤9,对所述N型硅片的第一面进行磷扩散,形成磷硅玻璃层。所述N型双面电池的制备方法,通过将湿氧氧化和光刻胶结合,无需刻蚀设备,还能保留两面绒面的完整。CN106206859ACN106206859A权利要求书1/1页1.一种N型双面电池的制备方法,其特征在于,包括:步骤1,对碱制绒后的N型硅片进行湿氧氧化,形成双面氧化硅层;步骤2,对所述N型硅片的第一面均匀旋涂光刻胶层;步骤3,去除所述N型硅片的第二面的氧化硅层;步骤4,去除所述N型硅片的第一面表面的光刻胶层;步骤5,对所述N型硅片的第二面进行硼扩散,形成硼硅玻璃层;步骤6,对所述N型硅片的第二面旋涂光刻胶层;步骤7,去除所述N型硅片的第一面的氧化硅层;步骤8,去除所述N型硅片的第二面表面的光刻胶层;步骤9,对所述N型硅片的第一面进行磷扩散,形成磷硅玻璃层。2.如权利要求1所述的N型双面电池的制备方法,其特征在于,所述氧化硅层的厚度为80nm~120nm。3.如权利要求2所述的N型双面电池的制备方法,其特征在于,所述去除所述N型硅片的第二面的氧化硅层或所述去除所述N型硅片的第一面的氧化硅层为使用10%的氢氟酸浸泡40s~60s去除氧化硅层。4.如权利要求3所述的N型双面电池的制备方法,其特征在于,所述去除所述N型硅片的第一面表面的光刻胶层或所述去除所述N型硅片的第二面表面的光刻胶层为使用1%的NaCO3溶液在50℃下浸泡1min~2min去除光刻胶层。5.如权利要求4所述的N型双面电池的制备方法,其特征在于,所述光刻胶层为负胶层。6.如权利要求5所述的N型双面电池的制备方法,其特征在于,还包括:步骤10,去除所述硼硅玻璃层,并在所述第二面进行AlOx、SiNx钝化。7.如权利要求6所述的N型双面电池的制备方法,其特征在于,还包括:步骤11,去除所述磷硅玻璃层,并在所述第一面进行SiNx钝化。8.如权利要求7所述的N型双面电池的制备方法,其特征在于,还包括:步骤12,对完成第二面钝化和第一面钝化的N型硅片进行双面丝网印刷。2CN106206859A说明书1/4页一种N型双面电池的制备方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池制备技术领域,特别是涉及一种N型双面电池的制备方法。背景技术[0002]目前,太阳能光伏发电的主流产品是P型硅片电池,但是P型电池的效率提升空间有限,因为N型硅片具有比P型硅片高的少子寿命,可制作成双面受光的高效率、低衰减的太阳能电池,广泛应用于有湖水或者积雪地区,现逐渐成为光伏行业研究的热点。[0003]N型双面电池需要解决的一个重要点就是如何把两次扩散结合起来,且彼此没有影响。早期的N型双面电池是先进行硼扩散,快速去背面的PN结,利用正面的BSG做掩膜,再进行磷扩散。现有通过旋涂、丝网印刷离子注入的方式在N型制绒后的硅片表面均匀涂上硼源,并在炉管中进行硼扩散,再进行掩膜和磷扩散。前者一般采用线滚轮流水线去背结,但是酸液或者碱液可能漫过硼扩散后的硅片,难以控制对正面BSG的保留,有一定的腐蚀破坏,这样就会起不到掩膜作用,严重影响最终电池的效率。后者旋涂或者离子注入所需设备较贵,目前只是研究阶段,同样也需要掩膜。发明内容[0004]本发明的目的是提供一种N型双面电池的制备方法,无需刻蚀,保留了完整的绒面。[0005]为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种N型双面电池的制备方法,包括:[0006]步骤1,对碱制绒后的N型硅片进行湿氧氧化,形成双面氧化硅层;[0007]步骤2,对所述N型硅片的第一面均匀旋涂