N型双面电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105870221A(43)申请公布日2016.08.17(21)申请号201610383582.5(22)申请日2016.06.01(71)申请人浙江晶科能源有限公司地址314416浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号申请人晶科能源有限公司(72)发明人黄纪德蒋方丹金浩(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人罗满(51)Int.Cl.H01L31/0236(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称N型双面电池及其制备方法(57)摘要本申请公开了一种N型双面电池的制备方法，包括：S1：对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀，并去除损伤层，使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层；S2：在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层，作为N型双面电池的正面；S3：去除硼硅玻璃，并在N型双面电池的正面制作掩膜；S4：在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层，作为N型双面电池的背面；S5：去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜；S6：分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极，获得N型双面电池。N型双面电池的制备方法提高了N型双面电池的光利用率和光电转换效率。本申请还公开了一种N型双面电池。CN105870221ACN105870221A权利要求书1/2页1.一种N型双面电池的制备方法，其特征在于，包括：S1：对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀，并去除损伤层，使得所述N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层；S2：在炉管中对所述N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层，作为N型双面电池的正面；S3：去除硼硅玻璃，并在所述N型双面电池的正面制作掩膜；S4：在炉管中对所述N型硅片衬底的另一面进行磷扩散形成N+层，作为N型双面电池的背面；S5：去除边结、磷硅玻璃以及所述N型双面电池的正面制作的掩膜；S6：分别在所述N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极，获得N型双面电池。2.如权利要求1所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，步骤S1中，对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀的反应条件为：利用氯气、氧气和六氟化硫混合气体在高频电源的激发下生成的等离子体气体对所述N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀；所述氯气的流量范围为200-1000sccm，氧气的流量范围为500-2000sccm，六氟化硫的流量范围为200-1000sccm，压力范围为10-15pa，高频电源的功率范围为15-30kw，刻蚀时间范围为10-500s。3.如权利要求2所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，步骤S5与步骤S6之间，还包括：在所述N型双面电池的正面利用ALD法制备Al2O3钝化膜，在所述N型双面电池的背面利用管式PECVD法制备SiO2钝化膜，所述Al2O3钝化膜以及所述SiO2钝化膜的厚度范围均为2-15nm。4.如权利要求3所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，在所述N型双面电池的正面以及所述N型双面电池的背面分别蒸镀所述Al2O3钝化膜以及所述SiO2钝化膜之后，还包括：在所述Al2O3钝化膜以及所述SiO2钝化膜表面利用管式PECVD法制备SiNX减反射膜，所述SiNX减反射膜的厚度范围为75-90nm。5.如权利要求4所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在所述炉管中通入BBr3对所述N型硅片衬底的一面进行硼扩散。6.如权利要求5所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，步骤S3中，利用浓度范围为5％-10％的HF溶液去除所述硼硅玻璃。7.如权利要求6所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，步骤S4中，在所述炉管中通入POCl3对所述N型硅片衬底的另一面进行磷扩散。8.如权利要求7所述的N型双面电池的制备方法，其特征在于，步骤S6中，利用丝网印刷的方式在所述SiNX减反射膜表面分别制备栅线正电极以及栅线背电极，并烧结。9.一种N型双面电池，其特征在于，包括：N型硅片衬底；依次叠置所述N型硅片衬底的一面的凹坑绒面层、P型层以及正电极；2CN105870221A权利要求书2/2页依次叠置于所述N型硅片衬底的另一面的所述凹坑绒面层、N+层以及背电极。10.如权利要求9所述的N型双面电池，其特征在于，还包括：依次叠置于所述P型层与所述正电极之间的Al2O3钝化膜以及SiNX减反射膜；依次叠置于所述N+层与所述背电极之间的SiO2钝化膜以及SiNX减反射膜。3CN105870221A说明书1/5页N型双面电池及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能技术领域，更具体地说，