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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109920882A(43)申请公布日2019.06.21(21)申请号201910259646.4(22)申请日2019.04.02(71)申请人常州亿晶光电科技有限公司地址213000江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号(72)发明人胡琴张思敏房江明吴家宏张凯胜姚伟忠孙铁囤(74)专利代理机构常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258代理人郑云(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0236(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称一种具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法(57)摘要本发明公开了一种N型双面电池制备方法,包括如下步骤:(1)清洗N型单晶硅片,去除硅片表面的沾污以及切割损伤层;(2)在扩散炉内进行磷扩散,形成N+层;(3)在硅片背面采用等离子体化学气相沉积法,生长一层氮化硅层;(4)然后进行正面绒面制备,形成具有陷光结构的金字塔绒面,金字塔高度为1~1.5um;(5)在扩散炉管内进行硼扩散,在硅片正面形成P型层;(6)用氢氟酸洗掉正面的硼硅玻璃;(7)然后在正面镀制氮化硅薄膜;(8)最后正面和背面均印刷银电极,完成烧结。本发明的N型双面电池的制备工艺能较好与兼容现有生产线,且所得的N型双面电池正面转换效率达21.5%,背面转换效率达18.2%。CN109920882ACN109920882A权利要求书1/1页1.一种具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:(1)取电阻率0.5-1.5Ω·cm的N型单晶硅片,采用1.3~5wt%的氢氧化钾溶液和8~12wt%的双氧水对N型单晶硅片进行清洗处理,去除硅片表面的沾污以及切割损伤层;(2)在扩散炉内进行磷扩散,形成N+层:在炉管中以氮气携带三氯氧磷的方式,形成N型层,所述扩散温度为700-900℃,扩散时间80-130min,扩散后的方阻为80~100Ω/□;然后再用10wt%~20wt%的氢氟酸去除背面的磷硅玻璃,其中反应时间为3~5min;(3)在硅片背面采用等离子体化学气相沉积法,生长一层氮化硅层,氮化硅的膜厚为80~110nm,折射率为2.06~2.12;(4)然后进行正面绒面制备,第一步采用1~3wt%的HF溶液在室温条件下清洗60~80S,然后制绒,并形成具有陷光结构的金字塔绒面,金字塔高度为1~1.5um,然后再用氢氟酸和盐酸的混酸清洗表面;(5)在扩散炉管内进行硼扩散,在硅片正面形成P型层:以氮气携带BBr3对硅片的正面进行硼扩,形成P型层,所述扩散温度为900~1200℃,所述扩散时间80~130min,扩散后的方阻为80~100Ω/□;(6)用3~6wt%的氢氟酸洗掉正面的硼硅玻璃,硼硅玻璃清洗时间为150-200s;(7)然后在正面镀制氮化硅薄膜,正面膜厚为60-80nm,折射率为2.06~2.12;(8)最后正面和背面均印刷银电极,完成烧结。2.根据权利要求1所述的具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法,其特征在于:步骤(4)所述制绒工艺为:在0.8~1.5wt%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液中对硅片正面进行制绒腐蚀,温度为60~90℃,制绒时间为5~10分钟。2CN109920882A说明书1/2页一种具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法技术领域[0001]本发明属于太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法。背景技术[0002]N型太阳电池则得益于其高效率、低衰减的优势,成为光伏行业内新的研究热点。在高效N型技术方面,最典型的代表是美国SunPower公司的IBC电池和日本Panasonic公司的HIT电池。但这两种电池技术的缺点是生产设备非常昂贵、工艺复杂、制造成本很高,另外也具有很高的技术壁垒。而光伏行业的最终目标是降低发电成本,N型高效电池的研发必须避开复杂的技术路线以降低工艺成本。N型双面电池的技术路线较之常规P型电池只增加了背面扩散与钝化工艺,几乎所有设备均可采用现有量产设备进行开发,增加的设备与工艺成本很低,是最有可能实现量产的。现有技术中,制备双面电池时,实现单面扩散的方法有:离子注入、涂胶扩散,这两种工艺都无法与现有常规单晶产线兼容,离子注入都需要引进昂贵的设备,而B胶则会在高温扩散工艺中引入有机物污染。发明内容[0003]为了克服现有技术中的上述缺陷,本发明提供一种与产线兼容的N型双面电池的制作方法。[0004]本发明所采用的技术方案为:一种具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法,包括如下步骤:[0005](1)取电阻率0.5-1.5Ω·cm的N型单晶硅片,采用1.3~5wt%的氢氧化钾溶液和8~12wt%的双氧水对N型