一种具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法.pdf
雨星****萌娃
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一种具有较好钝化效果的N型双面电池制备方法.pdf
本发明公开了一种N型双面电池制备方法,包括如下步骤:(1)清洗N型单晶硅片,去除硅片表面的沾污以及切割损伤层;(2)在扩散炉内进行磷扩散,形成N+层;(3)在硅片背面采用等离子体化学气相沉积法,生长一层氮化硅层;(4)然后进行正面绒面制备,形成具有陷光结构的金字塔绒面,金字塔高度为1~1.5um;(5)在扩散炉管内进行硼扩散,在硅片正面形成P型层;(6)用氢氟酸洗掉正面的硼硅玻璃;(7)然后在正面镀制氮化硅薄膜;(8)最后正面和背面均印刷银电极,完成烧结。本发明的N型双面电池的制备工艺能较好与兼容现有生产
一种N型双面电池的制备方法.pdf
本发明公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:步骤1,对碱制绒后的N型硅片进行湿氧氧化,形成双面氧化硅层;步骤2,对所述N型硅片的第一面均匀旋涂光刻胶层;步骤3,去除所述N型硅片的第二面的氧化硅层;步骤4,去除所述N型硅片的第一面表面的光刻胶层;步骤5,对所述N型硅片的第二面进行硼扩散,形成硼硅玻璃层;步骤6,对所述N型硅片的第二面旋涂光刻胶层;步骤7,去除所述N型硅片的第一面的氧化硅层;步骤8,去除所述N型硅片的第二面表面的光刻胶层;步骤9,对所述N型硅片的第一面进行磷扩散,形成磷硅玻璃层。所述N型双面
一种N型PERT双面电池制备方法.pdf
本发明涉及一种N型PERT双面太阳电池的制备方法,包括如下步骤:S1:制绒;S2:正面硼掺杂制结;S3:背面刻蚀去除边缘及背面PN结;S4:背面磷掺杂制结;S5:去除背面PSG以及正面BSG;S6:碱、酸洗:使用碱和双氧水混合液对硅片表面进行微量刻蚀并去除残留杂质,使用HF酸溶液酸洗中和碱液并去除表面氧化硅层;S7:湿氧钝化;S8:正面沉积氧化铝;S9:正面PECVD沉积SiNx;S10:背面PECVD沉积SiNx;S11:丝网印刷和烧结;S12:激光隔离。本发明能去除硼扩面表面掺杂极高的富硼层,改善方阻
N型双面电池及其制备方法.pdf
本申请公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。N型
一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法.pdf
本发明涉及一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法,它包括以下步骤:(a)采用HF溶液或者含HF的第一混酸溶液对硅片的表面进行处理,除去氧化层、硼硅玻璃或/和磷硅玻璃;(b)采用碱液中和步骤(a)中残留的酸性溶液;(c)去除硅片表面残留的碱液和金属杂质;(d)在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,在硅片表面形成氧化硅。只需要在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,即可在硅片表面形成氧化硅,该步骤可以在常温下完成,大大降低了成本,尤其适用于大