n型双面太阳电池的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108039374A(43)申请公布日2018.05.15(21)申请号201711050570.1(22)申请日2017.10.31(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市兴泰南路268号(72)发明人李华靳玉鹏(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人文雯(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/0224(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称n型双面太阳电池的制备方法(57)摘要本发明提供一种n型双面太阳电池的制备方法，对n型硅基底进行去损伤层或织构化处理及清洗处理；在硅基底背面进行发射极的制备；进行绝缘处理；在硅基底正面进行前表面场制备；受光面的钝化及减反射膜制备，以及背面钝化层制备；在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；进行第一热处理过程；进行第二热处理过程。该方法形成的接触电阻较常规方法更低，表面钝化膜经过第二热处理后也具有更好的钝化性能，工艺流程较为简单。并且发射极置于太阳电池的背面，因此在太阳电池正面的减反射膜的制备时，并不需要太多限制，在背面发射极表面的钝化层设计时，可以不用顾忌光透过率的影响，可以在背面将钝化做到最佳。CN108039374ACN108039374A权利要求书1/2页1.一种n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤1、对n型硅基底进行去损伤层或织构化处理及清洗处理；步骤2、在硅基底背面进行发射极的制备；步骤3、进行绝缘处理；步骤4、在硅基底正面进行前表面场制备；步骤5、受光面的钝化及减反射膜制备，以及背面钝化层制备；步骤6、在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；步骤7、进行第一热处理过程；步骤8、进行第二热处理过程。2.如权利要求1所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤2中发射极制备采用直接在基底上掺杂形成的p型同质发射极，或在基底上沉积p型掺杂的多晶硅或非晶硅形成的异质发射极。3.如权利要求2所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：采用异质发射极的制备时，在硅基底和掺杂多晶硅或非晶硅之间形成一层隧穿钝化层。4.如权利要求1所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤4中前表面场采用直接在基底上掺杂形成的n型表面场，或在基底上沉积n型掺杂的多晶硅或非晶硅层而形成的异质表面场，前表面场采用整面或局部设置。5.如权利要求4所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：采用异质背面发射极时，在硅基底和p型掺杂的多晶硅或非晶硅之间形成一层隧穿钝化层。6.如权利要求3或5所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：隧穿钝化层采用本征非晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种。7.如权利要求5所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：所述隧穿钝化层的厚度0.5nm~3nm。8.如权利要求1所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：图形化形成电极浆料层的方法是印刷方法、喷墨、激光转印或3D打印方法。9.如权利要求1所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：第一热处理过程为烧结过程，烧结处理过程使用的峰值温度为500~950℃。10.如权利要求1所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：钝化处理过程中使用原子层沉积方法、增强型等离子气相沉积方法或热生长方法形成的氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅，或者它们中的两个或两个以上的组合物进行钝化。11.如权利要求1所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：第二热处理方法为激光辐照处理方法或快速热处理方法。12.如权利要求11所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：激光辐照处理方法采用超过太阳能电池尺寸的大光斑一次照射，或使用小于太阳能电池面积的光斑进行扫描式辐照，辐照次数为一次及以上。13.如权利要求11所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：激光辐照方法使用的激光器的波长是300~1100nm，激光辐照方法对整个电池表面进行辐照或仅对电极区域进行辐照处理。14.如权利要求11所述的n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于：快速热处理方法2CN108039374A权利要求书2/2页使用的峰值温度为600~1000℃。3CN108039374A说明书1/5页n型双面太阳电池的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种n型双面太阳电池的制备方法。背景技术[0002]目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏