一种N型PERT双面电池制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108447944A(43)申请公布日2018.08.24(21)申请号201810251053.9(22)申请日2018.03.26(71)申请人江苏顺风光电科技有限公司地址213164江苏省常州市武进高新技术产业开发区阳湖路99号(72)发明人瞿辉徐春曹玉甲杨三川(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人朱晓凯(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种N型PERT双面电池制备方法(57)摘要本发明涉及一种N型PERT双面太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1：制绒；S2：正面硼掺杂制结；S3：背面刻蚀去除边缘及背面PN结；S4：背面磷掺杂制结；S5：去除背面PSG以及正面BSG；S6：碱、酸洗：使用碱和双氧水混合液对硅片表面进行微量刻蚀并去除残留杂质，使用HF酸溶液酸洗中和碱液并去除表面氧化硅层；S7：湿氧钝化；S8：正面沉积氧化铝；S9：正面PECVD沉积SiNx；S10：背面PECVD沉积SiNx；S11：丝网印刷和烧结；S12：激光隔离。本发明能去除硼扩面表面掺杂极高的富硼层，改善方阻均匀性，同时提升N型电池的钝化效果，对电池开压和转换效率有明显提升。CN108447944ACN108447944A权利要求书1/1页1.一种N型PERT双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：制绒；S2：正面硼掺杂制结；S3：背面刻蚀去除边缘及背面PN结；S4：背面磷掺杂制结；S5：去除背面PSG以及正面BSG；S6：碱、酸洗：使用碱和双氧水混合液对硅片表面进行微量刻蚀并去除残留杂质，使用HF酸溶液酸洗中和碱液并去除表面氧化硅层；S7：湿氧钝化：使用湿氧钝化方法对硅片表面进行钝化；S8：正面沉积氧化铝；S9：正面PECVD沉积SiNx；S10：背面PECVD沉积SiNx；S11：丝网印刷和烧结；S12：激光隔离，得到N型双面电池。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S6中所述碱和双氧水混合液具体为：NaOH或KOH与双氧水的混合液，其混合液中NaOH或KOH的质量浓度为0.1%-2%，双氧水的质量浓度为0.2%-5%。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤S6碱洗过程中所述碱和双氧水混合液的温度控制在20-80℃，碱洗时间控制在3-10min。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S6中HF酸溶液质量浓度为2%-10%，酸洗过程中HF酸溶液温度控制在25℃，酸洗时间控制为2-5min。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S7具体为：采用浓度为50%-68%的浓硝酸对硅片表面进行钝化，钝化温度20℃-50℃，时间5-15min，形成一层厚度为1-3nm的氧化硅膜。2CN108447944A说明书1/4页一种N型PERT双面电池制备方法技术领域[0001]本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及太阳能电池制造技术，特别是涉及一种N型PERT双面电池的制备方法。背景技术[0002]常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。目前常规电池受工艺限制，效率提升已无太大空间，电池效率的提升必须依靠新型电池工艺的发展。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。[0003]目前，N型PERT双面电池的制备方法一般包括以下几个步骤：①制绒；②正面硼掺杂制结；③背面刻蚀去除边缘及背面PN结；④背面磷掺杂制结；⑤去除背面PSG以及正面BSG；⑥正面沉积氧化铝；⑦正面PECVD沉积SiNx；⑧背面PECVD沉积SiNx；⑨丝网印刷和烧结；⑩激光隔离；即可得到N型双面电池。上述制备方法中在形成正背面结后直接在HF水溶液中去除正面的BSG以及背面的PSG，工艺较为简单，对硅片绒面无修饰效果，对硅片在生产过程中受到的污染清洗效果不佳，不能够去除正面的富硼层，对方阻均匀性无改善，清洗后硅片表面硅基底直接裸露，基底表面的悬挂键不能够被饱和，对电池表面无钝化效果。发明内容[0004]本发明的目的在于克服上述缺陷，提供一种N型PERT双面太阳电池的制备方法，能够对硅片绒面起到圆滑作用，去除电池表面的富硼层和杂质污染物，改善方阻均匀性，提升电池钝化效果，提升电池效率。[0005]为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是：1、一种N