金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106298655A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201510236772.X(22)申请日2015.05.11(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层申请人深圳方正微电子有限公司(72)发明人邱海亮闻正锋马万里赵文魁(74)专利代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343代理人尚志峰汪海屏(51)Int.Cl.H01L21/8234(2006.01)H01L27/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件(57)摘要本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件，其中，制备方法包括：在衬底的正侧形成的金属氧化物功率单元的介质层上形成第一金属电极，同时，在衬底的正侧的预留区域的介质层上形成第二金属电极；在第二金属电极上形成平坦化的电容的介电层；暴露与第一金属电极导通的第一接触孔和与第二金属电极导通的第二接触孔；形成金属氧化物功率单元的源极电极和漏极电极，以完成金属氧化物功率单元的制备过程；形成电容的下电极和电容的上电极，以完成所述金属氧化物功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，通过将电容和金属氧化物功率单元制备在一个功率器件上，不仅增大了功率器件的集成度，还降低了生产成本。CN106298655ACN106298655A权利要求书1/1页1.一种金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的正侧形成的金属氧化物功率单元的介质层上形成第一金属电极，同时，在所述衬底的正侧的预留区域的所述介质层上形成第二金属电极；在所述第二金属电极上形成平坦化的所述电容的介电层；对所述介电层进行图形化处理，以暴露与所述第一金属电极导通的第一接触孔和与所述第二金属电极导通的第二接触孔；通过所述第一接触孔形成与所述第一金属电极导通的辅助金属电极，以形成所述金属氧化物功率单元的源极电极和漏极电极，以完成所述金属氧化物功率单元的制备过程；通过所述第二接触孔形成与所述第二金属电极导通的第三金属电极，以形成所述电容的下电极；在所述预留区域对应的介电层上形成第四金属电极，以形成所述电容的上电极，以完成所述金属氧化物功率器件的制备过程。2.根据权利要求1所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述第一金属电极之前，包括以下具体步骤：在所述衬底上形成外延层，并在所述衬底上确定所述预留区域。3.根据权利要求2所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述外延层之后，还包括以下具体步骤：在所述外延层内形成下沉区。4.根据权利要求3所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述下沉区之后，还包括以下具体步骤：在形成所述下沉区的所述外延层上形成栅氧化层。5.根据权利要求4所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述栅氧化层之后，还包括以下具体步骤：在形成所述栅氧化层的所述外延层的内部依次形成体区、硅栅、源区、漏区和漂移区。6.根据权利要求5所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述漂移区之后，包括以下具体步骤：在所述栅氧化层上形成所述介质层，以完成所述金属氧化物功率单元的制备。7.根据权利要求2所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，形成所述介质层，包括以下具体步骤：通过旋涂工艺形成平坦化的所述介质层，其中，所述介质层包括硼元素和磷元素。8.根据权利要求1至7中任一项所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在所述预留区域对应的介电层上形成第四金属电极之后，还包括以下具体步骤：在所述衬底的背侧依次进行减薄处理、注入处理和合金层制备处理，以完成所述金属氧化物功率器件的制备过程。9.一种功率器件，其特征在于，采用如权利要求1至8中任一项所述的金属氧化物功率器件的制备方法制备而成。10.根据权利要求9所述的功率器件，其特征在于，所述下电极的厚度处于0.5微米至1.5微米之间，所述上电极的厚度处于2微米至4微米之间。2CN106298655A说明书1/6页金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种金属氧化物功率器件的制备方法和一种功率器件。背景技术[0002]目前，金属氧化物功率器件被广泛应用于手机基站、广播电视和微波雷达等领域，金属氧化物功率器件为射频横向双扩散金属氧化物半导体时，与其配套应用的还有电容，这个电容一般称为匹配电容或者耦合电容，其作用是传送交流，隔离直流。在相关技术中，通常使用两种工艺分别制备金属氧化物功率单元和电容，再通过键合工艺等方法将所述电容和所述金属氧化物功率单元集成应用到集