金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106298632A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201510238957.4(22)申请日2015.05.11(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层申请人深圳方正微电子有限公司(72)发明人邱海亮闻正锋马万里赵文魁(74)专利代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343代理人尚志峰汪海屏(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L27/02(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件(57)摘要本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有金属氧化物功率单元的衬底的预留区域上形成电容的介电层，用于形成所述电容和所述金属氧化物功率单元的一侧作为所述衬底的正侧；在所述衬底的正侧形成所述金属氧化物功率单元上形成第一金属电极，在所述介电层上形成第二金属电极，以及在所述衬底的背侧形成第三电极，以完成所述金属氧化物功率单元的制备过程。通过本发明的技术方案，通过将电容和金属氧化物功率单元制备在一个功率器件上，从而不仅增大了功率器件的集成度，还降低了功率器件的生产成本。CN106298632ACN106298632A权利要求书1/2页1.一种金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在制备有金属氧化物功率单元的衬底的预留区域上形成电容的介电层，用于形成所述电容和所述金属氧化物功率单元的一侧作为所述衬底的正侧；在所述衬底的正侧形成所述金属氧化物功率单元上形成第一金属电极，在所述介电层上形成第二金属电极，以及在所述衬底的背侧形成第三电极，以完成所述金属氧化物功率单元的制备过程。2.根据权利要求1所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述介电层之前，包括以下具体步骤：在所述衬底上形成隔离层。3.根据权利要求2所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述介电层之前，还包括以下具体步骤：对所述隔离层进行图形化处理，以暴露出所述衬底上的功率器件制备区；在所述功率器件制备区的所述衬底上形成外延层；采用氢氟酸去除经过图形化处理后的所述隔离层，以暴露出所述预留区域下方的衬底结构，暴露的所述衬底结构作为所述电容的基板；在所述外延层上的指定区域内依次形成下沉区和场氧化层；在形成所述场氧化层的所述外延层和所述基板上形成栅氧化层；在形成栅氧化层的所述外延层的内部依次形成体区、硅栅、源区、漏区和漂移区；在形成所述漂移区的所述衬底上形成平坦化的介质层；去除所述预留区域内的介质层和栅氧化层，以完成所述金属氧化物功率单元的制备，并暴露所述预留区域。4.根据权利要求2所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，形成所述介电层之前，还包括以下具体步骤：在形成所述隔离层的衬底上依次形成外延层、下沉区、场氧化层、栅氧化层、体区、硅栅、源区、漏区、漂移区和平坦化的介质层；去除所述预留区域内的所述外延层、所述栅氧化层和所述介质层，以完成所述金属氧化物功率单元的制备，并暴露所述预留区域。5.根据权利要求3或4所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，形成所述电容的介电层，包括以下具体步骤：采用热氧化工艺和/或化学气息淀积工艺在所述预留区域暴露的衬底和外延层侧壁，形成所述电容的介电层。6.根据权利要求3或4所述的金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底背侧形成第三电极，包括以下具体步骤：在所述衬底的背侧一次进行减薄处理、注入处理和合金层制备，以完成所述第三电极的制备过程。7.一种功率器件，其特征在于，采用如权利要求1至6中任一项所述的金属氧化物功率器件的制备方法制备而成。8.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述介电层包括二氧化硅层和/或氮化硅层，其中，所述二氧化硅的厚度处于3000埃至10000埃之间，所述氮化硅的厚度处于2CN106298632A权利要求书2/2页500埃至3000埃之间。9.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述外延层的厚度处于5微米至12微米之间，所述外延层的电阻率在3欧姆/厘米至15欧姆/厘米之间。10.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述隔离层的厚度处于5000埃至15000埃之间。3CN106298632A说明书1/6页金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种金属氧化物功率器件的制备方法和一种功率器件。背景技术[0002]目前，金属氧化物功率器件被广泛应用于手机基站、广播电视和微波雷达等领域，金属氧化物功率器件为射频横向双扩散金属氧化