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功率器件及其制备方法.pdf
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本申请提供一种功率器件及其制备方法。制备方法包括步骤：提供硅基底，于硅基底内形成阱区、位于阱区内的漂移区和位于漂移区内的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构和硅基底之间形成有衬垫隔离层，漂移区上定义有注入窗口，注入窗口与浅沟槽隔离结构相邻，注入窗口显露出硅基底；对漂移区的注入窗口进行离子注入，以于对应注入窗口的硅基底表面形成以非晶硅为主的破坏层；对对应破坏层的区域进行热氧化处理，以于注入窗口内形成高压栅氧层，高压栅氧层与浅沟槽隔离结构相邻接。本申请有助于避免器件局部击穿，可以提高器件的电性能。
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