预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共17页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106298516A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201510237053.X(22)申请日2015.05.11(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层申请人深圳方正微电子有限公司(72)发明人邱海亮闻正锋马万里赵文魁(74)专利代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343代理人尚志峰汪海屏(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称功率器件的制备方法和功率器件(57)摘要本发明提出了一种功率器件的制备方法和一种功率器件,其中,所述制备方法包括:在制备有二极管和功率单元的氧化层保护层上形成光阻层;去除所述功率单元的有源区的所述氧化层保护层上的所述光阻层,并保留所述二极管的静电防护区的所述氧化层保护层上的所述光阻层,以完成所述功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案,通过在二极管的静电防护区的氧化层保护层上形成光阻层,避免了在制备功率器件的过程中静电防护区的氧化层保护层的拐角处被刻蚀,从而避免了在二极管的多晶硅基层结构上形成金属硅化物,进而保证了二极管对功率器件的静电防护的功能,进一步地保证了功率器件的可靠性。CN106298516ACN106298516A权利要求书1/2页1.一种功率器件的制备方法,其特征在于,包括:在制备有二极管和功率单元的氧化层保护层上形成光阻层;去除所述功率单元的有源区的所述氧化层保护层上的所述光阻层,并保留所述二极管的静电防护区的所述氧化层保护层上的所述光阻层,以完成所述功率器件的制备过程。2.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法,其特征在于,在形成所述光阻层之前,包括以下具体步骤:依次在基底上形成外延层和下沉区,其中,所述下沉区的一侧作为制备所述二极管的所述静电防护区,所述下沉区的另一侧作为制备所述功率单元的所述有源区。3.根据权利要求2所述的功率器件的制备方法,其特征在于,在形成所述下沉区之后,包括以下具体步骤:在所述静电防护区的所述外延层上形成场氧化层;在所述有源区的所述外延层上形成栅氧化层。4.根据权利要求3所述的功率器件的制备方法,其特征在于,在形成所述栅氧化层之后,包括以下具体步骤:在所述场氧化层和所述栅氧化层上形成多晶硅层;对所述多晶硅层进行图形化处理,以在所述静电防护区形成多晶硅基层结构,以及在所述有源区形成硅栅结构。5.根据权利要求4所述的功率器件的制备方法,其特征在于,在形成所述硅栅结构之后,包括以下具体步骤:在形成所述硅栅结构的所述有源区依次形成体区、漂移区、源区、漏区和P型重掺杂离子区。6.根据权利要求5所述的功率器件的制备方法,其特征在于,形成所述光阻层,包括以下具体步骤:在形成所述P型重掺杂离子区的所述有源区的所述硅栅结构上和所述静电防护区的所述多晶硅基层结构上形成所述氧化层保护层,以在所述氧化层保护层上形成所述光阻层。7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率器件的制备方法,其特征在于,去除所述光阻层,包括以下具体步骤:在去除所述有源区的所述光阻层的所述氧化层保护层上形成抗反射涂层;去除所述有源区的所述硅栅结构顶部的所述抗反射涂层和所述硅栅结构顶部的所述氧化层保护层,以保留所述硅栅结构两侧的所述氧化层保护层;去除所述静电防护区的所述光阻层,以及去除所述有源区的所述抗反射涂层;对去除顶部的所述氧化层保护层的所述硅栅结构进行合金化处理,以形成金属硅化物结构层。8.根据权利要求1至6中任一项所述的功率器件的制备方法,其特征在于,通过曝光工艺和显影工艺去除所述有源区的所述光阻层。9.一种功率器件,其特征在于,采用如权利要求1至8中任一项所述的功率器件的制备方法制备而成。2CN106298516A权利要求书2/2页10.根据权利要求9所述的功率器件,其特征在于,所述光阻层的厚度处于10000埃至13000埃之间。3CN106298516A说明书1/7页功率器件的制备方法和功率器件技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种功率器件的制备方法和一种功率器件。背景技术[0002]目前,功率器件广泛应用于雷达、广播电视、基站等领域,例如,功率器件为射频横向双扩散金属氧化物半导体器件(RFLDMOS,Radio-FrequencyLaterally-Diffused-Metal-Oxide-Semiconductor),另外,为了降低功率器件的栅极电阻和提升频率,通常会在功率器件的硅栅结构上制作金属硅化物结构层,而制备金属硅化物结构层时,通常采用自对准工艺。具体地,在相关技术中,将抗反射涂层(ARC,Anti-Re