功率器件、制备方法和车辆.pdf
灵慧****89
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功率器件、制备方法和车辆.pdf
本申请公开了一种功率器件、制备方法和车辆,功率器件包括:衬底,所述衬底包括元胞结构和耐压终端,所述衬底的中央区域形成所述元胞结构,所述衬底的远离所述中央区域的部分形成所述耐压终端;所述耐压终端的边缘位置设有台阶部;第一钝化层,所述第一钝化层沉积于所述台阶部上,所述第一钝化层中注入有离子,以调制所述耐压终端处的所述衬底中的载流子分布。本申请在耐压终端的边缘位置设置台阶部,充分利用衬底的立体结构,减少耐压终端的面积。台阶部上沉积第一钝化层,并在第一钝化层中注入带电离子,使带电离子钉扎在第一钝化层内,不随外加电
功率器件的制备方法和功率器件.pdf
本发明提出了一种功率器件的制备方法和一种功率器件,其中,所述制备方法包括:在制备有二极管和功率单元的氧化层保护层上形成光阻层;去除所述功率单元的有源区的所述氧化层保护层上的所述光阻层,并保留所述二极管的静电防护区的所述氧化层保护层上的所述光阻层,以完成所述功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案,通过在二极管的静电防护区的氧化层保护层上形成光阻层,避免了在制备功率器件的过程中静电防护区的氧化层保护层的拐角处被刻蚀,从而避免了在二极管的多晶硅基层结构上形成金属硅化物,进而保证了二极管对功率器件的静电防护的功
半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆.pdf
本申请提供一种半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆,包括:N型的半导体衬底、设置于所述半导体衬底上的漂移层、设置于所述漂移层内的沟槽结构、栅极、层间介质层、源极以及漏极。漂移层包括依次在半导体衬底上叠层设置的第一N型半导体区、第二P型半导体区以及源区,以及设置在漂移层两侧的第一P型半导体区,沟槽结构具有多个第一沟槽和第二沟槽,并在第一沟槽和第二沟槽中设置栅极,在漂移层中制作紧密排列的沟槽阵列,有利于缩小第一沟槽间的沟槽间距,从而将元胞小型化,提升元胞密度和器件的通流能力。
一种功率器件、功率器件的制备方法和电子装置.pdf
本发明提供了一种功率器件、功率器件的制备方法和电子装置,解决了目前双面散热的模块与散热器间的热阻较大,导致散热效率低的问题。所述功率器件包括:至少一个散热单元,所述散热单元包括散热部和至少一个功率器件本体,以及设置在所述散热部和所述功率器件本体之间的固定层;其中,至少一个所述功率器件本体的第一面固定在所述散热部的第二面上。
功率器件及其制备方法.pdf
本申请提供一种功率器件及其制备方法。制备方法包括步骤:提供硅基底,于硅基底内形成阱区、位于阱区内的漂移区和位于漂移区内的浅沟槽隔离结构,浅沟槽隔离结构和硅基底之间形成有衬垫隔离层,漂移区上定义有注入窗口,注入窗口与浅沟槽隔离结构相邻,注入窗口显露出硅基底;对漂移区的注入窗口进行离子注入,以于对应注入窗口的硅基底表面形成以非晶硅为主的破坏层;对对应破坏层的区域进行热氧化处理,以于注入窗口内形成高压栅氧层,高压栅氧层与浅沟槽隔离结构相邻接。本申请有助于避免器件局部击穿,可以提高器件的电性能。