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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881764A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202111155233.5(22)申请日2021.09.29(71)申请人比亚迪半导体股份有限公司地址518119广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号(72)发明人周海佳刘春江张建利(74)专利代理机构北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442专利代理师周礼涛(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称功率器件、制备方法和车辆(57)摘要本申请公开了一种功率器件、制备方法和车辆,功率器件包括:衬底,所述衬底包括元胞结构和耐压终端,所述衬底的中央区域形成所述元胞结构,所述衬底的远离所述中央区域的部分形成所述耐压终端;所述耐压终端的边缘位置设有台阶部;第一钝化层,所述第一钝化层沉积于所述台阶部上,所述第一钝化层中注入有离子,以调制所述耐压终端处的所述衬底中的载流子分布。本申请在耐压终端的边缘位置设置台阶部,充分利用衬底的立体结构,减少耐压终端的面积。台阶部上沉积第一钝化层,并在第一钝化层中注入带电离子,使带电离子钉扎在第一钝化层内,不随外加电场移动,达到调制衬底内部的载流子分布的目的,有效实现耐压终端的耐压的有效性和稳定性。CN115881764ACN115881764A权利要求书1/2页1.一种功率器件,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括元胞结构和耐压终端,所述衬底的中央区域形成所述元胞结构,所述衬底的远离所述中央区域的部分形成所述耐压终端;所述耐压终端的边缘位置设有台阶部;第一钝化层,所述第一钝化层沉积于所述台阶部上,所述第一钝化层中注入有离子,以调制所述耐压终端处的所述衬底中的载流子分布。2.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述衬底具有在厚度方向相对布置的第一表面和第二表面,所述台阶部在所述第一表面和所述第二表面之间倾斜延伸,且所述第一表面在所述第二表面上的正投影覆盖所述第二表面。3.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述第一钝化层在所述台阶部上均匀沉积,以使所述第一钝化层的形状与所述台阶部的形状相对应。4.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,所述台阶部为多个连续圆滑过渡的台阶,多个所述台阶在所述衬底的厚度方向上倾斜延伸,第一钝化层在每个所述台阶上均匀沉积。5.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述第一钝化层在所述衬底的厚度方向上的沉积量不同,以使所述第一钝化层与所述台阶部合围成的截面形状为矩形。6.根据权利要求3或5所述的功率器件,其特征在于,所述第一钝化层中注入的离子靠近所述第一钝化层和所述衬底的边界位置。7.根据权利要求4所述的功率器件,其特征在于,所述衬底在所述第一表面上设有多个间隔开布置的沟槽,多个所述沟槽位于所述耐压终端内,且每个所述沟槽均朝向所述第二表面延伸。8.根据权利要求7所述的功率器件,其特征在于,每个所述沟槽在远离所述元胞结构的方向上的深度逐渐递减。9.根据权利要求7所述的功率器件,其特征在于,每个所述沟槽分别与一个所述台阶的位置相对应。10.根据权利要求7所述的功率器件,其特征在于,每个所述沟槽的内壁面和底面均沉积有第二钝化层,且所述第二钝化层的表面沉积有导电层。11.一种功率器件的制备方法,用于制备权利要求1‑10中任一项所述的功率器件,其特征在于,所述制备方法包括:提供一衬底,其中,所述衬底的中央区域形成元胞结构,所述衬底的远离所述中央区域的部分形成耐压终端;在所述耐压终端的边缘位置设置台阶部;在所述台阶部上沉积第一钝化层;在所述第一钝化层中注入离子,以调制所述耐压终端处的所述衬底中的载流子分布。12.根据权利要求11所述的功率器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述耐压终端上设置多个在第一表面间间隔开布置且朝向第二表面延伸的沟槽,每个所述沟槽在远离所述元胞结构的方向上的深度逐渐递减;在每个所述沟槽的内壁面和底面沉积第二钝化层;在所述第二钝化层的表面沉积导电层。2CN115881764A权利要求书2/2页13.一种车辆,其特征在于,包括权利要求1‑10中任一项所述的功率器件。3CN115881764A说明书1/8页功率器件、制备方法和车辆技术领域[0001]本申请涉及半导体器件技术领域,更具体地,涉及一种功率器件、该功率器件的制备方法和具有该功率器件的车辆。背景技术[0002]功率器件的种类很多,包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等,其广泛应用于高电压、大电流的工业场景。这些高压半导体器件的结构千差万别,但是针对高电压、大电流应用场景时,通常需要考虑结构的耐压设计。[000