一种覆铜板外层铜箔减薄的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106507597A(43)申请公布日2017.03.15(21)申请号201610933196.9(22)申请日2016.10.31(71)申请人西安微电子技术研究所地址710065陕西省西安市雁塔区太白南路198号(72)发明人雷雨辰李哲高原(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人徐文权(51)Int.Cl.H05K3/06(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种覆铜板外层铜箔减薄的加工方法(57)摘要本发明公开了一种覆铜板铜箔外层铜箔减薄的加工方法，该方法采用硫酸-过硫酸钠体系对覆铜板铜箔减薄，用于外层18μm或12μm覆铜或压合铜箔的覆铜板均匀的减薄至9μm，减薄厚度可通过减薄前后的质量差进行控制。该方法有效的解决了细密线路印制板加工制作的外层来料问题。经验证减薄的覆铜层具有良好的均匀性，表面无残留及氧化层，以及良好的微观粗糙结构并满足QJ831B-2011《航天用多层印制电路板通用规范》中对外层导体最小覆铜层的规定。CN106507597ACN106507597A权利要求书1/1页1.一种覆铜板铜箔外层铜箔减薄的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：采用硫酸-过硫酸钠微蚀溶液对覆铜板进行减薄处理，其中，减薄处理的温度为35～40℃，减薄处理时间为85～90s/μm；上喷淋压力2.0～3.0kg/cm2，下喷淋压1.0～2.0kg/cm2。2.根据权利要求1所述的覆铜板铜箔外层铜箔减薄的加工方法，其特征在于，1L的硫酸-过硫酸钠微蚀溶液是由30～40g的过硫酸钠固体、20～40mL的浓硫酸以及纯水配成。3.根据权利要求2所述的覆铜板铜箔外层铜箔减薄的加工方法，其特征在于，所述硫酸的体积浓度为2％，过硫酸钠的质量浓度为40g/L。4.根据权利要求1所述的覆铜板铜箔外层铜箔减薄的加工方法，其特征在于，所述减薄处理的温度为38℃。5.根据权利要求1所述的覆铜板铜箔外层铜箔减薄的加工方法，其特征在于，所述上喷淋压力为2.0kg/cm2，下喷淋压力为1.5kg/cm2。2CN106507597A说明书1/2页一种覆铜板外层铜箔减薄的加工方法【技术领域】[0001]本发明属于印制电路及半导体电子技术领域，涉及一种覆铜板外层铜箔减薄的加工方法。【背景技术】[0002]随着高密度组装及整机小型化的发展，印制板产品线条宽度及间距日趋细密化(线宽间距4/4mil以内)。为实现细密线路产品的加工，依据QJ831B-2011《航天用多层印制电路板通用规范》3.4.3.1.3外层导体最小厚度中对外层覆铜箔厚度的规定，细密线路印制板可使用外层9μm铜厚的覆铜层来实现产品加工。目前，9μm覆铜板来料主要有两个途径：一是由板材厂商直接提供，此类板材使用受叠层和板厚要求具有局限性，且厂商出货量低，因此采购成本是常规铜厚覆铜板的数倍；二是通过外层压合铜箔再通过酸性蚀刻减薄铜厚，酸性蚀刻减薄速度快，效率高，只适用于外层18μm或以上的铜箔减薄，且减薄后的面铜均匀性差，18μm铜厚覆铜层酸性蚀刻减薄误差可达2-2.5μm，易造成细密线路部位蚀刻不净，该方法多用于要求较低或民用印制电路产品生产。本发明主要采用硫酸-过硫酸钠体系对覆铜板铜箔减薄，用于外层18μm或12μm覆铜或压合铜箔的覆铜板均匀的减薄至9μm，解决细密线路印制板加工制作的来料问题。经实验、生产验证，本发明所提供的技术路线是实现外层18μm或12μm覆铜或压合铜箔的覆铜板均匀减薄至9μm的有效方法。【发明内容】[0003]本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种覆铜板外层铜箔减薄的加工方法，该方法通过硫酸-过硫酸钠体系对18μm或12μm外层覆铜层减薄，能够稳定可控的制备具有良好均匀性的9μm覆铜，用于解决细密印制电路产品的板材来料问题。[0004]为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：[0005]一种覆铜板铜箔外层铜箔减薄的加工方法，包括以下步骤：[0006]采用硫酸-过硫酸钠微蚀溶液对覆铜板进行减薄处理，其中，减薄处理的温度为35～40℃，减薄处理时间为85～90s/μm；上喷淋压力2.0～3.0kg/cm2，下喷淋压1.0～2.0kg/cm2。[0007]本发明进一步的改进在于：[0008]1L的硫酸-过硫酸钠微蚀溶液是由30～40g的过硫酸钠固体、20～40mL的浓硫酸以及纯水配成。[0009]所述减薄处理的温度为38℃。[0010]所述硫酸的体积浓度为2％，过硫酸钠的质量浓度为40g/L。[0011]所述上喷淋压力为2.0kg/cm2，下喷淋压力为1.5kg/cm2。[0012]与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：[0013]本发明通过