沉积掩模和制造沉积掩模的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106521411A(43)申请公布日2017.03.22(21)申请号201610461420.9(22)申请日2016.06.23(30)优先权数据10-2015-01275812015.09.09KR(71)申请人三星显示有限公司地址韩国京畿道(72)发明人姜勋甘范修张宗燮全祐奭(74)专利代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204代理人王达佐王艳春(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图10页(54)发明名称沉积掩模和制造沉积掩模的方法(57)摘要公开了沉积掩模和制造沉积掩模的方法。该方法包括在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层；移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层，留下形成在光学开口中的掩模材料层；以及移除基构件。CN106521411ACN106521411A权利要求书1/3页1.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有多个倒锥形的光学图案和由所述光学图案限定的光学开口；在所述光学开口中以及在所述光学图案上形成掩模材料层；移除所述光学图案和形成在所述光学图案上的所述掩模材料层，留下形成在所述光学开口中的所述掩模材料层；以及移除所述基构件。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述光学图案中的每个具有接触所述基构件的第一表面和面对所述第一表面的第二表面；所述光学图案中的每个包括第一光学图案和第二光学图案，其中所述第一光学图案从所述第二表面朝着所述第一表面变窄并具有弯曲侧表面，以及所述第二光学图案从所述第一光学图案朝着所述第一表面变窄并具有从所述第一光学图案的所述弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面；以及拐点位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面与所述第二光学图案的所述弯曲侧表面之间的边界处。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述光学图案中的每个在所述第二表面处具有最大宽度并且在所述第一表面处具有最小宽度，以及所述最大宽度与所述最小宽度之间的差值为3μm或大于3μm。4.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模材料层具有1至20μm的厚度。5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述掩模材料层的步骤包括利用沉积方法将金属材料或无机材料沉积在具有所述光刻胶图案的所述基构件上。6.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述掩模材料层的步骤中，形成在所述光学开口中的所述掩模材料层与形成在所述光学图案上的所述掩模材料层分离。7.如权利要求2所述的方法，其中，所述光学图案中的每个还包括位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面中的分离槽，所述分离槽被定位成高于所述掩模材料层。8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一光学图案的所述弯曲侧表面包括从所述光学图案中的每个的所述第二表面连续的第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面；拐点分别位于所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的边界处、所述第二侧表面与所述第三侧表面之间的边界处、以及所述第三侧表面与所述第四侧表面之间的边界处；以及所述分离槽由所述第二侧表面和所述第三侧表面限定。9.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述光刻胶图案包括图案化形成在所述基构件上的光刻胶材料层，以及所述光刻胶材料层包括负性光刻胶材料，所述负性光刻胶材料包含粘合剂、光敏剂、溶剂和添加剂，所述添加剂响应于光的照射而捕捉由所述光敏剂产生的自由基。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述添加剂被添加的重量为所述光敏剂重量的5至30％。2CN106521411A权利要求书2/3页11.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：在基构件上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由所述光学图案限定的光学开口；在所述光学开口中形成掩模材料层；移除所述光学图案，留下形成在所述光学开口中的所述掩模材料层；以及移除所述基构件，所述光学图案中的每个具有与所述基构件接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述光学图案中的每个包括第一光学图案和第二光学图案，所述第一光学图案从所述第二表面朝着所述第一表面变窄并具有弯曲侧表面，以及所述第二光学图案从所述第一光学图案朝着所述第一表面变窄并具有从所述第一光学图案的所述弯曲侧表面延伸的弯曲侧表面，拐点位于所述第一光学图案的所述弯曲侧表面与所述第二光学图案的所述弯曲侧表面之间的边界处。12.如权利要求11所述的方法，其中：所述光学图案中的每个在所述第二表面处具有最大宽度并且在所述第一表面处具有最小宽度，以及所述最大宽度与所述最小宽度之间的差值是3μm或大于3μm。13.如权利要求11所述的方法，其中：所述基构件包括金属衬底，以及形