平面栅沟槽型超级结器件及其制造方法.pdf
小寄****淑k
亲,该文档总共15页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
平面栅沟槽型超级结器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种平面栅沟槽型超级结器件,包括:沟槽型超级结;形成于有源区外的沟槽型超级结的顶部场氧化层;形成于有源区中的沟槽型超级结的各N型薄层表面的多晶硅栅;各多晶硅栅还延伸到对应的场氧化层的表面并组成多晶硅延伸段;各多晶硅延伸段分别通过接触孔连接到同一个金属总线,由金属总线引出栅极衬垫;各多晶硅延伸段的宽度小于等于对应的N型薄层的宽度,使各多晶硅延伸段和各P型薄层的孔洞缺陷在位置上错开。本发明还公开了一种平面栅沟槽型超级结器件的制造方法。本发明防止各多晶硅延伸段跨越P型薄层时各孔洞缺陷中出现多晶硅残留
沟槽栅超结IGBT器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种沟槽栅超结IGBT器件,器件单元结构包括:P型掺杂的体区形成于N型柱和P型柱的表面区域中。沟槽栅位于N型柱的顶部区域中且穿过体区。在沟槽栅侧面的体区的表面形成有发射区。发射区顶部的第一接触孔连接到由正面金属层组成的发射极。在第一接触孔和相邻的P型柱之间的N型柱中形成有沟槽隔离结构,沟槽隔离结构由填充于隔离沟槽中的第一介质层组成,隔离沟槽穿过体区并使体区分割成第一体区部分和第二体区部分。沟槽隔离结构切断第二体区部分和P型柱到第一体区的导通路径。本发明还公开了一种沟槽栅超结IGBT器件的制造方
沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法.pdf
一种沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法,在半导体基底的沟槽内底部的设有厚氧化层,沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层,及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极,且在厚氧化层上方及多晶硅栅极下方设有第一限制部,及包覆第一限制部的第二限制部。透过第一限制部及第二限制部的存在,在后续工序中将保留第二限制部下方的厚氧化层,从而能降低工艺成本;能在更小深宽比的沟槽中形成良好的TBO(ThickBottomOxide),从而能适用于各种深宽比的沟槽的TBO形成,从而具有较大的使用范围。
沟槽栅半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种沟槽栅半导体器件,包括:第一外延层组成的漂移区和形成于漂移区顶部的体区;多个包括栅极沟槽、栅介质层和栅极导电材料层的沟槽栅,原胞区包括多个并联的原胞,各原胞包括一个沟槽栅;在各沟槽栅的两侧分别形成有一个包括屏蔽沟槽、屏蔽介质层和屏蔽导电材料层的屏蔽电极结构,屏蔽沟槽的深度大于栅极沟槽的深度,屏蔽导电材料层填充在屏蔽沟槽中,屏蔽导电材料层用于对沟槽栅底部的漂移区产生横向耗尽,从而降低器件的密勒电容和导通电阻;在体区表面形成有源区;屏蔽导电材料层和源区都通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极。
沟槽栅半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种沟槽栅半导体器件,沟槽栅包括形成于半导体衬底中沟槽、形成于所述沟槽的底部表面和侧面的栅氧化层;栅氧化层由第一氧化层和第二氧化层叠加而成;第一氧化层为炉管热氧化层;第二氧化层为PECVD氧化层;栅氧化层具有通过RTA处理的热致密结构;利用沟槽中形成的PECVD氧化层具有底部表面的厚度大于侧面厚度的特性,使栅氧化层具有位于沟槽的底部表面的厚度大于位于沟槽的侧面的厚度的结构。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。本发明能提高器件的BVGSS,同时不影响器件的阈值电压,工艺简单且成本低。