晶片加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106816359A(43)申请公布日2017.06.09(21)申请号201510870094.2(22)申请日2015.12.02(71)申请人北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人彭宇霖(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人彭瑞欣张天舒(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称晶片加工方法(57)摘要本发明提供的晶片加工方法，其使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，该半导体加工设备包括反应腔室，在该反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；双通道进气喷嘴设置在反应腔室的顶部，且位于承载装置的上方，并且双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在中心通道周围的环形通道，晶片加工方法包括：工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行加工工艺时通过环形通道向反应腔室内输送工艺气体；吹扫步骤，在工艺步骤之前和/或之后，通过中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体。本发明提供的晶片加工方法，其不仅可以有效去除在晶片表面上残留的冷凝颗粒，而且还可以去除反应腔室内产生的氢卤酸等的工艺残气。CN106816359ACN106816359A权利要求书1/1页1.一种晶片加工方法，其特征在于，使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，所述半导体加工设备包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；所述双通道进气喷嘴设置在所述反应腔室的顶部，且位于所述承载装置的上方，并且所述双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在所述中心通道周围的环形通道，所述晶片加工方法包括：工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行所述加工工艺时通过所述环形通道向所述反应腔室内输送工艺气体；吹扫步骤，在所述工艺步骤之前和/或之后，通过所述中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体。2.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，所述中心通道包括一个或多个进气孔；通过设定所述进气孔的孔径而使经所述进气孔流入所述反应腔室内的吹扫气体的气流速度满足去除晶片表面上的颗粒的要求。3.根据权利要求2所述的晶片加工方法，其特征在于，所述进气孔的孔径的取值范围在1～3mm。4.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，所述半导体加工设备还包括至少三个顶针和顶针升降机构，其中，所述至少三个顶针用于支撑晶片；所述顶针升降机构用于驱动所述至少三个顶针上升至第一位置或下降至第二位置，所述第一位置为所述顶针的顶端高于所述承载装置用于承载晶片的承载面的位置；所述第二位置为所述顶针的顶端低于所述承载装置用于承载晶片的承载面的位置；所述晶片加工方法包括：晶片升起步骤，在所述工艺步骤之前和/或之后，且在所述吹扫步骤之前，利用所述顶针升降机构驱动所述顶针上升至所述第一位置，以将置于所述承载装置上的晶片托起。5.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，在所述吹扫步骤中，根据不同的加工工艺，设定所述吹扫气体的气体种类组合、气体流量、所述反应腔室的压力和吹扫时间中的至少一个参数，以有效去除晶片表面上的颗粒。6.根据权利要求5所述的晶片加工方法，其特征在于，所述吹扫气体的气体种类组合包括一种惰性气体或者不同种惰性气体的组合。7.根据权利要求6所述的晶片加工方法，其特征在于，所述惰性气体包括氮气或氩气。8.根据权利要求5所述的晶片加工方法，其特征在于，所述气体流量的取值范围在100～200sccm。9.根据权利要求5所述的晶片加工方法，其特征在于，所述反应腔室的压力的取值范围在40～150mT。10.根据权利要求5所述的晶片加工方法，其特征在于，所述吹扫时间的取值范围在4～10s。2CN106816359A说明书1/4页晶片加工方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种晶片加工方法。背景技术[0002]等离子加工设备广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中，其利用射频电源将工艺气体激发为高能等离子体，并与晶片表面进行反应，从而完成刻蚀工艺。[0003]图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图。请参阅图1，等离子体加工设备包括四个反应腔室(PM1～PM4)、传输腔室TM、两个过渡腔室(LLA和LLB)以及EFEM腔室。其中，四个反应腔室(PM1～PM4)用于先后或同时完成等离子体刻蚀工艺；传输腔室TM用于在各个腔室之间传递晶片；两个过渡腔室(LLA和LLB)用于完成晶片在大气与真空状态之间的转换，EFEM腔室用于存放晶片，同时为晶片提供微环境，使EFEM内部产生从上到下的均匀气流，从而避免晶片受到颗粒的污染。但是，由于四个反应腔室(PM1