晶片和晶片的加工方法.pdf

提供晶片和晶片的加工方法，既能够确保形成有器件的区域较大又能够抑制缺陷的产生。一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与器件区域对应，该第2部分围绕第1部分，比第1部分厚地向背面侧突出，在磨削步骤中，使磨削磨轮和晶片相对地移动以使得第1部分的背面与第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。

2023-09-01

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晶片加工方法.pdf

本发明申请涉及光电子信息技术领域，公开了一种晶片加工方法，包括如下步骤：S1:将晶片放置在晶片托台上，加压机构驱使研磨头以一定压力压住晶片托台上的晶片；S2：启动研磨头上方的驱动电机和第一驱动机构的电机，研磨头被驱动电机带动作旋转运动，第一驱动机构的电机通过调速齿轮实现减速，再通过转轴带动从动齿轮转动，从而带动安装在转轴上的晶片托台旋转，晶片托台的转向与研磨头的转向相反，研磨头对晶片进行研磨；本发明申请意在提供一种晶片加工方法，在研磨晶片的过程中，不仅能吸收研磨产生的粉屑，还能对设备起到散热和润滑作用。

2023-09-02

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晶片的加工方法.pdf

本发明提供一种晶片的加工方法，其能够增加芯片的取得数量。本发明的晶片的加工方法构成为实施激光束照射步骤在晶片(W)的内部形成沿着分割预定线(L)的改质层(S)，并且使用于分割器件层(2)的裂纹(3)从改质层(S)延伸至晶片(W)的表面(Wa)，因而能够不在晶片(W)的表面(Wa)侧形成切削槽，而利用在晶片(W)的内部产生的裂纹(3)分割成各器件层(2)。由此，无需较大地设定分割预定线(L)的宽度，能够增加芯片(C)的取得数量，芯片(C)的生产率提高。在实施激光束照射步骤后，利用切削刀具(61)从晶片(W)

2023-11-16

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晶片的加工方法.pdf

提供晶片的加工方法。其包含：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了改质层形成工序和保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了分割工序的晶片的保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保

2023-11-19

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晶片加工方法.pdf

本发明涉及晶片对齐系统(1)，其包括用于在运输方向(4)上运输晶片(2)的运输工具(3)，所述运输工具(3)限定了运输平面(5)，其特征在于：所述晶片对齐系统(1)包括在所述运输平面(5)内限定晶片垂直于所述运输方向(4)移动的划界工具(6)，其中，所述划界工具(6)限定基本平行于所述运输工具(3)的运输方向(4)延伸的对齐线(7)，以及用于产生迫使所述晶片(2)抵住所述划界工具(6)的液流产生工具(9)。

2023-06-25

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