晶片和晶片的加工方法.pdf

提供晶片和晶片的加工方法，既能够确保形成有器件的区域较大又能够抑制缺陷的产生。一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与器件区域对应，该第2部分围绕第1部分，比第1部分厚地向背面侧突出，在磨削步骤中，使磨削磨轮和晶片相对地移动以使得第1部分的背面与第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。

2023-09-01

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晶片加工方法.pdf

本发明提供的晶片加工方法，其使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，该半导体加工设备包括反应腔室，在该反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；双通道进气喷嘴设置在反应腔室的顶部，且位于承载装置的上方，并且双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在中心通道周围的环形通道，晶片加工方法包括：工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行加工工艺时通过环形通道向反应腔室内输送工艺气体；吹扫步骤，在工艺步骤之前和/或之后，通过中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体。本发明提供的晶片加工方法，其不仅可以有效去除在晶片表面上残留的

2023-11-19

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晶片加工方法.pdf

本发明涉及晶片对齐系统(1)，其包括用于在运输方向(4)上运输晶片(2)的运输工具(3)，所述运输工具(3)限定了运输平面(5)，其特征在于：所述晶片对齐系统(1)包括在所述运输平面(5)内限定晶片垂直于所述运输方向(4)移动的划界工具(6)，其中，所述划界工具(6)限定基本平行于所述运输工具(3)的运输方向(4)延伸的对齐线(7)，以及用于产生迫使所述晶片(2)抵住所述划界工具(6)的液流产生工具(9)。

2023-06-25

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晶片加工方法.pdf

本发明申请涉及光电子信息技术领域，公开了一种晶片加工方法，包括如下步骤：S1:将晶片放置在晶片托台上，加压机构驱使研磨头以一定压力压住晶片托台上的晶片；S2：启动研磨头上方的驱动电机和第一驱动机构的电机，研磨头被驱动电机带动作旋转运动，第一驱动机构的电机通过调速齿轮实现减速，再通过转轴带动从动齿轮转动，从而带动安装在转轴上的晶片托台旋转，晶片托台的转向与研磨头的转向相反，研磨头对晶片进行研磨；本发明申请意在提供一种晶片加工方法，在研磨晶片的过程中，不仅能吸收研磨产生的粉屑，还能对设备起到散热和润滑作用。

2023-09-02

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晶片加工方法.pdf

本发明提供晶片加工方法，其包含以下工序：液状树脂覆盖工序，在衬底正面覆盖液状树脂；衬底接合工序，在覆盖有液状树脂的衬底正面隔着液状树脂接合基板正面；高度位置测量工序，测量与衬底接合的基板背面的从衬底起算的高度位置；晶片保持工序，将与基板接合的衬底侧保持在磨削装置的卡盘台上；以及背面磨削工序，使卡盘台旋转，在基板背面，在使磨削轮旋转的同时使磨削轮的磨削面与晶片的基板背面接触来磨削基板的背面，在实施背面磨削工序之前实施面对状态调整工序：根据由高度位置测量工序测量的基板背面的从衬底起算的高度位置，求出基板背面的

2023-10-19

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