晶片加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102915935A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102915935A(43)申请公布日2013.02.06(21)申请号201210268419.6B24B7/22(2006.01)(22)申请日2012.07.30(30)优先权数据2011-1682302011.08.01JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人沟本康隆(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉黄纶伟(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书1111页页附图附图99页(54)发明名称晶片加工方法(57)摘要本发明提供晶片加工方法，其包含以下工序：液状树脂覆盖工序，在衬底正面覆盖液状树脂；衬底接合工序，在覆盖有液状树脂的衬底正面隔着液状树脂接合基板正面；高度位置测量工序，测量与衬底接合的基板背面的从衬底起算的高度位置；晶片保持工序，将与基板接合的衬底侧保持在磨削装置的卡盘台上；以及背面磨削工序，使卡盘台旋转，在基板背面，在使磨削轮旋转的同时使磨削轮的磨削面与晶片的基板背面接触来磨削基板的背面，在实施背面磨削工序之前实施面对状态调整工序：根据由高度位置测量工序测量的基板背面的从衬底起算的高度位置，求出基板背面的从外周侧至中心侧的坡度，与坡度对应地调整卡盘台的保持面与磨削轮的磨削面的面对状态。CN102953ACN102915935A权利要求书1/1页1.一种晶片加工方法，将在基板中埋设有电极的晶片形成为规定厚度，所述电极与分别设于形成在该基板的正面的多个器件上的接合焊盘连接，该晶片加工方法的特征在于，包含以下工序：液状树脂覆盖工序，向用于保护该基板的正面的衬底的正面滴下液状树脂并进行旋转，由此在该衬底的正面覆盖液状树脂；衬底接合工序，使该基板的正面隔着液状树脂与覆盖有液状树脂的该衬底的正面接合；高度位置测量工序，测量隔着液状树脂与该衬底的正面接合的该基板的背面的从该衬底起算的高度位置；晶片保持工序，将与该基板的正面接合的该衬底侧载置到磨削装置的卡盘台上，使该基板的背面露出而保持在该卡盘台上；以及背面磨削工序，使该卡盘台旋转，在保持于该卡盘台上的该晶片的该基板的背面，在使磨削轮旋转的同时使该磨削轮的磨削面与该晶片的该基板的背面接触来磨削该晶片的该基板的背面，在实施该背面磨削工序之前，实施面对状态调整工序，在该面对状态调整工序中，根据由该高度位置测量工序测量的隔着液状树脂与该衬底的正面接合的该基板的背面的从该衬底起算的高度位置，求出该基板的背面的从外周侧至中心侧的坡度，与该坡度对应地调整该卡盘台的保持面与该磨削轮的磨削面之间的面对状态。2.一种晶片加工方法，将在基板中埋设有电极的晶片形成为规定厚度，所述电极与分别设于形成在该基板的正面的多个器件上的接合焊盘连接，该晶片加工方法的特征在于，包含以下工序：液状树脂覆盖工序，向用于保护该基板的正面的衬底的正面滴下液状树脂并进行旋转，由此在该衬底的正面覆盖液状树脂；衬底接合工序，使该基板的正面隔着液状树脂与覆盖有液状树脂的该衬底的正面接合；高度位置测量工序，测量在隔着液状树脂与该衬底的正面接合的该基板中埋设的该电极的背面侧端面的从该衬底起算的高度位置；晶片保持工序，将与该基板的正面接合的该衬底侧载置到磨削装置的卡盘台上，使该基板的背面露出而保持在该卡盘台上；以及背面磨削工序，使该卡盘台旋转，在保持于该卡盘台上的该晶片的该基板的背面，在使磨削轮旋转的同时使该磨削轮的磨削面与该晶片的该基板的背面接触来磨削该晶片的该基板的背面，在实施该背面磨削工序之前，实施面对状态调整工序，在该面对状态调整工序中，根据由该高度位置测量工序测量的该电极的背面侧端面的从该衬底起算的高度位置，求出电极的背面侧端面的从外周侧至中心侧的坡度，与该坡度对应地调整该卡盘台的保持面与该磨削轮的磨削面之间的面对状态。2CN102915935A说明书1/11页晶片加工方法技术领域[0001]本发明涉及埋设有电极的晶片的加工方法，所述电极与分别设于形成在基板正面的多个器件上的接合焊盘连接。背景技术[0002]在半导体器件制造工序中，利用在大致圆板形状的硅(Si)基板正面上呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在划分出的区域中形成IC、LSI等半导体器件。通过沿着间隔道将这样地在硅(Si)基板正面上形成有多个半导体器件的晶片切断，由此对形成有半导体器件的区域进行分割，制造出各个半导体器件。[0003]为了实现器件的小型化、高功能化，实际应用了如下的模块构造：该模块构造是层叠多个器件并将设于所层叠的器件上的接合焊盘相连而得到的。该模块构造是这样的结构：在硅(Si)