TFT的制造方法及阵列基板的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106952825A(43)申请公布日2017.07.14(21)申请号201710153568.0(22)申请日2017.03.15(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518006广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人蔡小龙(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280代理人钟子敏(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L21/28(2006.01)H01L29/786(2006.01)H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图9页(54)发明名称TFT的制造方法及阵列基板的制造方法(57)摘要本发明公开一种TFT的制造方法及阵列基板的制造方法。所述方法包括：在衬底基材上形成交错间隔设置的中转层；在中转层上形成覆盖衬底基材的金属层；对中转层进行DIW脱膜制程，以将中转层及其上方的金属层从衬底基材上剥离，而未设置在中转层上方的金属层保留在衬底基材上而形成TFT的金属电极。基于此，本发明能够节省传统制程金属刻蚀溶液、图案中转层剥离(Stripper)溶液及二者废液处理的成本,同时能够有效避免传统制程铜刻蚀形成金属电极时刻蚀溶液中铜离子聚集而引起过热爆炸的风险。CN106952825ACN106952825A权利要求书1/3页1.一种TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基材上形成第一中转层，其中，将所述衬底基材的上方划分为沿平行于所述衬底基材的方向依次交错排布的第一区域和第二区域，所述第一中转层形成于所述第一区域；在所述第一区域和第二区域形成第一金属层；对所述第一中转层进行DIW(去离子)脱膜制程，以将第一中转层和第一区域的第一金属层从所述衬底基材上剥离，同时所述第二区域的第一金属层保留在衬底基材上而形成TFT的金属电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属电极为栅极，在形成TFT的金属电极之后，所述方法还包括：在所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成位于栅极正上方的半导体层；在所述栅极绝缘层上形成源极和漏极，所述源极与所述半导体层的源极接触区连接，所述漏极与所述半导体层的漏极接触区连接。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成源极和漏极，包括：在所述栅极绝缘层上形成第二中转层，其中，将所述栅极绝缘层的上方划分为沿平行于所述栅极绝缘层的方向依次交错排布的第三区域和第四区域，所述第二中转层形成于所述第三区域；在所述第三区域和第四区域形成第二金属层；对所述第二中转层进行DIW脱膜制程，以将第二中转层和第三区域的第二金属层从所述栅极绝缘层上剥离，同时所述第四区域的第二金属层保留在栅极绝缘层上而形成源极；在所述栅极绝缘层上形成第三中转层，其中，将所述栅极绝缘层的上方划分为沿平行于所述栅极绝缘层的方向依次交错排布的第五区域和第六区域，所述第三中转层形成于所述第五区域；在所述第五区域和第六区域形成第三金属层；对所述第三中转层进行DIW脱膜制程，以将第三中转层和第五区域的第三金属层从所述栅极绝缘层上剥离，同时所述第六区域的第三金属层保留在栅极绝缘层上而形成漏极。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成源极和漏极，包括：在所述栅极绝缘层上形成第二中转层，其中，将所述栅极绝缘层的上方划分为沿平行于栅极绝缘层的方向依次交错排布的第三区域和第四区域，第四区域包括沿平行于栅极绝缘层方向依次排布的第一子区域、第二子区域和第三子区域，所述第二中转层形成于第三区域和第二子区域；在所述第三区域和第四区域形成第二金属层；对第二中转层进行DIW脱膜制程，以将第二中转层和第三区域及第二子区域的第二金属层从栅极绝缘层上剥离，同时第一子区域和第三子区域的第二金属层保留在栅极绝缘层上而分别形成源极和漏极。2CN106952825A权利要求书2/3页5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属电极为栅极，所述衬底基材上还依次形成有遮光层和缓冲层，所述遮光层与所述第一区域在沿平行于所述衬底基材的方向上交错排布，在衬底基材上形成第一中转层，包括：在缓冲层上形成半导体层，所述半导体层与所述第一区域在沿平行于所述衬底基材的方向上交错排布；在所述半导体层上形成有覆盖所述缓冲层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一中转层；在形成TFT的金属电极之后，所述方法还包括：在所述栅极上形成覆盖栅极绝缘层的介质隔离层；在所述介质隔离层上形成源极和漏极，所述源极与所述半导体层的源极接触区连接，所述漏极与所述半导体层的漏极接触区连接。6.根据权利