阵列基板的制造方法、装置及阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109786440A(43)申请公布日2019.05.21(21)申请号201811598405.4H01L21/84(2006.01)(22)申请日2018.12.25(71)申请人惠科股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋，九州阳光1号厂房5、7楼(72)发明人莫琼花卓恩宗(74)专利代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287代理人胡海国(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/786(2006.01)H01L27/12(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称阵列基板的制造方法、装置及阵列基板(57)摘要本申请公开了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括在预先形成的衬底基板和栅极上沉积形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成非晶硅层、包括至少三层掺杂层的掺杂型非晶硅层和金属层，其中，所述掺杂型非晶硅层各层的掺杂浓度自下往上逐层递增；蚀刻出所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层的图形；在所述栅极绝缘层上，形成覆盖包括所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层的图形的钝化层，以形成阵列基板。本申请还公开了一种阵列基板的制造装置以及阵列基板。本申请通过提高薄膜晶体管阵列基板的稳定性，解决了薄膜晶体管容易出现图像残留的问题。CN109786440ACN109786440A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括以下步骤：在预先形成的衬底基板和栅极上沉积形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成非晶硅层、包括至少三层掺杂层的掺杂型非晶硅层和金属层，其中，所述掺杂型非晶硅层各层的掺杂浓度自下往上逐层递增；蚀刻出所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层的图形；在所述栅极绝缘层上，形成覆盖包括所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层的图形的钝化层，以形成阵列基板。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述在预先形成的衬底基板和栅极上沉积形成栅极绝缘层的步骤包括：在预先形成的所述衬底基板和所述栅极上，沉积形成覆盖所述栅极的所述第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层上沉积形成所述第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层的沉积速率大于所述第二栅极绝缘层的沉积速率。3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上依次沉积形成非晶硅层、包括至少三层掺杂层的掺杂型非晶硅层和金属层的步骤之后，还包括：在对所述非晶硅层进行背沟道蚀刻时，在沟道区域内蚀刻出剩余厚度的范围为的所述非晶硅层。4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上，形成覆盖包括所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层的图形的钝化层，以形成阵列基板的步骤之前，还包括：基于氮化物气体对已图形化的所述掺杂型非晶硅层进行热处理；其中，所述在所述栅极绝缘层上，形成覆盖包括所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层的图形的钝化层，以形成阵列基板的步骤之后，还包括：基于预设电压范围内的电压驱动所述阵列基板，所述预设电压范围为14.6V-15.6V。5.一种阵列基板的制造装置，其特征在于，所述阵列基板的制造装置包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的阵列基板的制造程序，所述阵列基板的制造程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的阵列基板的制造方法的步骤。6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，所述衬底基板上依次设有栅极、栅极绝缘层、非晶硅层、掺杂型非晶硅层、金属层和钝化层；其中，所述掺杂型非晶硅层至少包括三层掺杂层，所述掺杂型非晶硅层各层的掺杂浓度自下往上逐层递增。7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述掺杂型非晶硅层包括掺杂浓度自下往上逐层递增的第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层和第四掺杂层。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一掺杂层、所述第二掺杂层、所述2CN109786440A权利要求书2/2页第三掺杂层和所述第四掺杂层的掺杂浓度占比为1:1.5:2.5:3。9.如权利要求6-8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，各个所述掺杂层的层间厚度相等。10.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，其中：所述第一栅极绝缘层，设于所述衬底基板上且覆盖所述栅极；所述第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极