TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102468243A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102468243A(43)申请公布日2012.05.23(21)申请号201010542471.7G02F1/1362(2006.01)(22)申请日2010.11.11(71)申请人北京京东方光电科技有限公司地址100176北京市经济技术开发区西环中路8号(72)发明人谢振宇陈旭龙春平(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人申健(51)Int.Cl.H01L21/84(2006.01)H01L21/768(2006.01)H01L21/027(2006.01)H01L21/20(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书55页页附图附图55页(54)发明名称TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置(57)摘要本发明实施例提供一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，无需为遮光增加掩膜板构图工艺，且能够有效保证遮光。其方法为：在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关；在基板上形成钝化层；在钝化层上沉积像素电极层；在像素电极层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应像素电极区域，光刻胶完全去除区域对应其他区域；刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层；对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色；剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。CN1024683ACN102468243A权利要求书1/1页1.一种TFT阵列基板制造方法，在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，所述数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关；其中，所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，其特征在于，在形成有上述结构的所述基板上形成钝化层；在所述形成有钝化层的基板上沉积像素电极层；在所述像素电极层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应像素电极区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层；对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色；剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色包括：对所述基板喷淋或浸泡黑色染料达到一定时间，使所述黑色染料渗透进光刻胶完全去除区域的钝化层的表面，使得该光刻胶完全去除区域的钝化层的表面变为黑色。3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色包括：在所述基板上涂覆黑色树脂材料，使得光刻胶完全去除区域的钝化层的表面变为黑色。4.一种TFT阵列基板，包括：基板；所述基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；所述数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关，其中，所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；在所述基板上形成有钝化层；在钝化层上对应像素单元区域形成有像素电极区域；其特征在于，所述钝化层对应所述像素电极区域的部分为透明；所述钝化层对应其他区域的部分表面为黑色。5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述钝化层对应其他区域的部分表面渗透有黑色染料。6.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述钝化层对应其他区域的部分表面涂覆有黑色树脂材料。7.一种液晶显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的TFT阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上不设置黑矩阵。2CN102468243A说明书1/5页TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置技术领域[0001]本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置。背景技术[0002]TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)是利用设置在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的旋转的程度，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有由背光模块组、偏光片、上基板(通常是彩膜基板)和下基板(通常是阵列基板)以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。阵列基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)开关和像素电极；其中，TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源