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倒装芯片式半导体封装结构.pdf
2023-11-19
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一只****呀9
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倒装芯片式半导体封装结构.pdf
本发明公开一种倒装芯片式半导体封装结构，其包括：集成电路芯片(23)、引线框架(25)和一组金属凸块(24A‑24E)，该组金属凸块植在集成电路芯片主表面预留的表面接触垫上，引线框架设有数个彼此绝缘的引脚(25A‑25C)，这些引脚按照输出同一信号的金属凸块的排列布局延伸，集成电路芯片的下部设置开有凹槽的散热块(21)，集成电路芯片整体嵌入到凹槽内，并通过金属凸块与引线框架电连接，该芯片与框架之间填充有高导热绝缘灌封胶，形成以集成电路芯片的主表面向上的定向倒装芯片式结构，外部包裹有模塑料(26)。本发明提
2023-11-19
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半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法.pdf
本发明公开了一种半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法，该封装结构包括导线架、单层基板、金属线路层以及半导体组件。所述导线架包括主体部、多个接垫以及未接触区域的补强区。所述单层基板位于所述导线架上且部分填入所述补强区内，所述单层基板设有第一通孔及第二通孔，所述第一通孔内形成第一导电柱且电连接所述主体部，所述第二通孔内形成第二导电柱且电连接所述接垫。所述金属线路层分布于所述单层基板表面上且与对应的所述第一及第二导电柱电连接。所述半导体组件设有焊接部，所述半导体组件由所述焊接部电连接于所述金属线路层上。
2023-06-02
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封装方法及倒装芯片封装结构.pdf
本发明提供一种封装方法及倒装芯片封装结构，所述封装方法包括如下步骤：提供一基板及一芯片，所述芯片的焊盘表面具有一第一金属柱；在所述基板上表面形成图形化的金属布线底层，所述金属布线底层具有多个金属垫；在所述金属垫的上表面形成至少一个第二金属柱，所述第二金属柱的高度大于所述第一金属柱的高度；将所述第一金属柱与所述第二金属柱焊接；塑封所述芯片、第一金属柱、第二金属柱及图形化的金属布线底层；去除所述基板，以使金属布线底层的金属垫下表面裸露，形成倒装芯片封装结构。本发明的优点在于，第二金属柱的高度大于芯片侧的第一金
2024-01-10
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半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构.pdf
本发明涉及芯片封装技术领域，提供了一种半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构，该方法包括：在晶圆的上表面形成钝化层，并在钝化层上进行开窗，以露出晶圆中每个晶片表面的多个电极；在钝化层的上表面形成交替堆叠的重新布线层和绝缘层，重新布线层位于晶圆的晶片区域内，并通过开窗与多个电极电连接；在顶层的绝缘层上形成开口，以露出重新布线层的部分表面；在开口内的重新布线层表面形成可焊层，以形成每个晶片的外漏引脚；对晶圆进行切割划片，获得多个封装结构芯片。通过使用绝缘层和重新布线层取代传统封装的塑封料和引线框架，可以有效
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半导体封装结构形成方法及半导体封装结构.pdf
本申请涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及半导体封装结构形成方法及半导体封装结构，其中，该形成方法包括：连接层形成步骤，提供氧化物层，所述氧化物层上形成有连接层，所述氧化物层包括对准标记、测量标记及金属块；标记初对准步骤，图案化所述连接层，在所述连接层中形成所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽；连接凹槽形成步骤，利用所述对准标记、测量标记进行套准后，图案化所述连接层，在所述连接层中形成所述连接凹槽，露出所述金属块。通过本申请，实现了减小对准标记、测量标记上方连接层的厚度，提高对准标记、测量标记的对比度。
2023-06-07
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