半导体封装结构形成方法及半导体封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881519A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211554703.X(22)申请日2022.12.06(71)申请人青岛物元技术有限公司地址266111山东省青岛市城阳区锦盛二路金岭片区社区中心427室(72)发明人田锋邱杰振颜天才(74)专利代理机构青岛清泰联信知识产权代理有限公司37256专利代理师杨烨(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L23/544(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图5页(54)发明名称半导体封装结构形成方法及半导体封装结构(57)摘要本申请涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及半导体封装结构形成方法及半导体封装结构，其中，该形成方法包括：连接层形成步骤，提供氧化物层，所述氧化物层上形成有连接层，所述氧化物层包括对准标记、测量标记及金属块；标记初对准步骤，图案化所述连接层，在所述连接层中形成所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽；连接凹槽形成步骤，利用所述对准标记、测量标记进行套准后，图案化所述连接层，在所述连接层中形成所述连接凹槽，露出所述金属块。通过本申请，实现了减小对准标记、测量标记上方连接层的厚度，提高对准标记、测量标记的对比度。CN115881519ACN115881519A权利要求书1/2页1.一种半导体封装结构形成方法，其特征在于，包括：连接层形成步骤，提供氧化物层，所述氧化物层上形成有连接层，所述氧化物层包括对准标记、测量标记及金属块；标记初对准步骤，图案化所述连接层，在所述连接层中形成所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽；连接凹槽形成步骤，利用所述对准标记、测量标记进行套准后，图案化所述连接层，在所述连接层中形成所述连接凹槽，露出所述金属块。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构形成方法，其特征在于，所述标记初对准步骤进一步包括：初对准光刻步骤，在所述连接层上形成图案化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层中形成所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽的图形；初对准刻蚀步骤，以所述第一光刻胶层为掩膜，曝光刻蚀所述连接层后，去除所述第一光刻胶层，以将所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽的图形转移至所述连接层，降低所述第一初对准凹槽与所述对准标记、所述第二初对准凹槽与所述测量标记之间的连接层厚度。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构形成方法，其特征在于，所述连接凹槽形成步骤进一步包括：连接凹槽光刻步骤，在所述连接层上形成图案化的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层中形成所述连接凹槽的图形；连接凹槽刻蚀步骤，利用所述对准标记、测量标记进行套准，以所述第二光刻胶层为掩膜，曝光刻蚀所述连接层后去除所述第二光刻胶层，以将所述连接凹槽的图形转移至所述连接层。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构形成方法，其特征在于，所述标记初对准步骤基于一初对准光罩图案化所述连接层，所述初对准光罩上设有用于刻蚀所述第一初对准凹槽和/或所述第二初对准凹槽的图形。5.根据权利要求3所述的半导体封装结构形成方法，其特征在于，所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽的深度小于所述连接凹槽的深度。6.根据权利要求3所述的半导体封装结构形成方法，其特征在于，所述初对准刻蚀步骤、连接凹槽刻蚀步骤采用干法刻蚀。7.根据权利要求5所述的半导体封装结构形成方法，其特征在于，所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽的深度为1.5μm至2μm。8.一种半导体封装结构，采用如权利要求1‑7中任一项所述的半导体封装结构形成方法制成，其特征在于，包括：氧化物层，包括对准标记、测量标记及金属块；连接层，形成在所述氧化物层上；连接凹槽，在金属块上方形成于所述连接层并沿所述连接层的厚度方向贯穿所述连接层，以暴露所述金属块；第一初对准凹槽，在所述对准标记上方形成于所述连接层；第二初对准凹槽，在所述测量标记上方形成于所述连接层。2CN115881519A权利要求书2/2页9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽的深度小于所述连接凹槽的深度。10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一初对准凹槽、第二初对准凹槽的深度为1.5μm至2μm，所述第一初对准凹槽的宽度等于或大于所述对准标记的宽度，所述第二初对准凹槽的宽度等于或大于所述套刻测量标记的宽度。3CN115881519A说明书1/5页半导体封装结构形成方法及半导体封装结构技术领域[0001]本申请涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及半导体封装结构形成方法及半导体封装结构。背景技术[0002]在半导体封装工艺中，大致可以分为背面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和成品测试等主要步骤，其中，晶圆贴装的目的在于将切割好的