半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954338A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211611416.8(22)申请日2022.12.14(71)申请人苏州震坤科技有限公司地址215123江苏省苏州市工业园区方洲路183号(72)发明人汤霁嬨(74)专利代理机构苏州三英知识产权代理有限公司32412专利代理师陆颖(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L23/495(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法(57)摘要本发明公开了一种半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法，该封装结构包括导线架、单层基板、金属线路层以及半导体组件。所述导线架包括主体部、多个接垫以及未接触区域的补强区。所述单层基板位于所述导线架上且部分填入所述补强区内，所述单层基板设有第一通孔及第二通孔，所述第一通孔内形成第一导电柱且电连接所述主体部，所述第二通孔内形成第二导电柱且电连接所述接垫。所述金属线路层分布于所述单层基板表面上且与对应的所述第一及第二导电柱电连接。所述半导体组件设有焊接部，所述半导体组件由所述焊接部电连接于所述金属线路层上。CN115954338ACN115954338A权利要求书1/2页1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：导线架，包括主体部及分布于主体部周围的多个接垫，所述主体部及所述接垫之间未接触区域为补强区；单层基板，位于所述主体部与所述接垫上，所述单层基板的部分填入所述补强区内，所述单层基板上设有第一通孔及第二通孔，所述第一通孔内形成第一导电柱，所述第一导电柱电连接所述主体部，所述第二通孔内形成第二导电柱，所述第二导电柱电连接所述接垫；多个金属线路层，分布于所述单层基板上所述导线架的另一表面，每个所述金属线路层与相对应的所述第一导电柱及所述第二导电柱电连接；及半导体组件，设有多个焊接部，所述半导体组件设置于所述金属线路层上，所述焊接部与相对应所述金属线路层电连接。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述接垫设置于所述单层基板上所述金属线路层的另一侧面，所述接垫上形成第一凹陷部，所述单层基板的部分填入所述第一凹陷部内。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述主体部设置于所述单层基板上所述金属线路层的另一侧面，所述主体部上形成至少一第二凹陷部，所述单层基板的部分填入所述第二凹陷部内。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述单层基板上所述导线架的相对一侧的表面形成有阻焊层，所述阻焊层暴露出所述金属线路层。5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括塑封层，所述塑封层包覆所述单层基板上的所述半导体组件、所述金属线路层以及所述阻焊层，仅曝露所述所述主体部与所述接垫的下表面。6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述单层基板上还具有至少一盲孔，所述盲孔未贯穿所述单层基板，所述盲孔内形成第三导电柱，所述第三导电柱与相对应的金属线路层相电性连接，所述半导体组件由所述焊接部与对应的所述金属路层或所述第三导电柱相连接。7.一种半导体封装结构的封装方法，其特征在于，包括：提供单层基板，所述单层基板具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有多个金属线路层，所述单层基板为半固态，被施压后可变形；将单层基板的所述第二表面设置于一导线架上，所述导线架包括主体部及分布于主体部周围且未接触的多个接垫，所述主体部及所述接垫之间未接触区域为补强区；加压半固态所述单层基板，使所述单层基板的部分填入所述补强区内，完成后加热使所述单层基板硬化；形成贯穿所述金属线路层、所述单层基板的第一通孔及第二通孔，并于所述第一通孔及所述第二通孔内填充导电材料以形成第一导电柱及第二导电柱，所述第一通孔内的所述第一导电柱电连接所述主体部，所述第二通孔内的所述第二导电柱电连接所述接垫；于所述金属线路层上设置半导体组件，所述半导体组件上的焊接部与对应的所述金属线路层电连接；及于所述单层基板的第一表面上形成塑封层，所述塑封层包覆所述半导体组件以及所述金属线路层。2CN115954338A权利要求书2/2页8.如权利要求7所述的半导体封装结构的封装方法，其特征在于，所述接垫设置于所述单层基板上所述金属线路层的另一侧面，所述接垫上形成第一凹陷部，在加压半固态的所述单层基板时，所述单层基板的部分填入所述第一凹陷部内。9.如权利要求8所述的半导体封装结构的封装方法，其特征在于，半固态的所述单层基板是由半固态树脂和玻璃纤维布组成，在加压半固态的所述单层基板时，所述半固态树脂填入所述第一凹陷部内。10.如权利要