封装方法及倒装芯片封装结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106057685A(43)申请公布日2016.10.26(21)申请号201610607544.3(22)申请日2016.07.28(71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司地址230001安徽省合肥市高新区创新大道2800号H2楼201室(72)发明人谭小春陆培良(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218代理人翟羽高翠花(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图10页(54)发明名称封装方法及倒装芯片封装结构(57)摘要本发明提供一种封装方法及倒装芯片封装结构，所述封装方法包括如下步骤：提供一基板及一芯片，所述芯片的焊盘表面具有一第一金属柱；在所述基板上表面形成图形化的金属布线底层，所述金属布线底层具有多个金属垫；在所述金属垫的上表面形成至少一个第二金属柱，所述第二金属柱的高度大于所述第一金属柱的高度；将所述第一金属柱与所述第二金属柱焊接；塑封所述芯片、第一金属柱、第二金属柱及图形化的金属布线底层；去除所述基板，以使金属布线底层的金属垫下表面裸露，形成倒装芯片封装结构。本发明的优点在于，第二金属柱的高度大于芯片侧的第一金属柱的高度，该结构能够降低应力，避免芯片受到损坏，且节约成本，可将成本降低至20％。CN106057685ACN106057685A权利要求书1/2页1.一种封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板及一芯片，所述芯片的焊盘表面具有一第一金属柱；在所述基板上表面形成图形化的金属布线底层，所述金属布线底层具有多个金属垫；在所述金属垫的上表面形成至少一个第二金属柱，所述第二金属柱的高度大于所述第一金属柱的高度；将所述第一金属柱与所述第二金属柱焊接；塑封所述芯片、第一金属柱、第二金属柱及图形化的金属布线底层；去除所述基板，以使金属布线底层的金属垫下表面裸露，形成倒装芯片封装结构。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，还包括一在第二金属柱对应位置形成至少一个图形化的金属布线中间层的步骤，所述金属布线中间层在第二金属柱位置具有金属垫，至少一个所述金属布线中间层沿所述第二金属柱高度方向间隔分割所述第二金属柱。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在第二金属柱对应位置形成至少一个图形化的金属布线中间层的方法包括如下步骤：在所述金属垫的上表面形成至少一个第二金属柱步骤中，缩短所述第二金属柱的高度，在此定义该缩短的第二金属柱为次第二金属柱；采用塑封材料或绝缘材料覆盖所述图形化的金属布线底层、基板及次第二金属柱，形成一绝缘层，所述次第二金属柱的上表面暴露于所述绝缘层上表面；在所述绝缘层上表面形成一图形化的金属布线中间层，所述图形化的金属布线中间层的金属垫对应所述次第二金属柱的位置；在所述图形化的金属布线中间层的金属垫上表面形成一凸起，该凸起与所述次第二金属柱共同构成所述第二金属柱，从而在所述基板表面形成由金属布线底层、第二金属柱及沿所述第二金属柱高度方向间隔分割所述第二金属柱的金属布线中间层构成的结构，所述第二金属柱及所述金属布线中间层的高度之和大于所述第一金属柱的高度。4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，在所述金属垫的上表面形成至少一个第二金属柱的步骤中，采用绝缘材料覆盖所述图形化的金属布线底层及基板，形成绝缘层，并在所述金属布线底层的金属垫对应位置形成过孔，暴露出所述金属垫；在所述绝缘层上表面形成一图形化的金属布线中间层的步骤中，同时在所述过孔中沉积金属，形成所述次第二金属柱。5.根据权利要求1或2中任意一项所述的封装方法，其特征在于，在焊接步骤之前，还包括一在至少一个所述第二金属柱侧壁和/或至少一个所述图形化的金属布线底层的金属垫的侧壁和/或至少一个所述图形化的金属布线中间层的金属垫的侧壁形成用于锁定封装结构塑封体的凸起的步骤。6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述基板一表面形成图形化的金属布线底层及在所述金属垫的上表面形成至少一个第二金属柱的方法包括如下步骤：在所述基板上表面沉积图形化的第一掩膜层；在所述第一掩膜层的图形处沉积金属，形成图形化的金属布线底层，所述第一掩膜层的图形处沉积成所述金属布线底层的金属垫；在所述第一掩膜层及金属布线底层表面沉积图形化的第二掩膜层，所述第二掩膜层的2CN106057685A权利要求书2/2页图形处对应所述金属垫；在所述第二掩膜层的图形处沉积金属，以在所述金属垫上表面形成至少一个第二金属柱。7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在去除所述基板的步骤之后，还包括一在所述裸露的金属垫下表面形