半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115995437A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202211368316.7(22)申请日2022.11.03(71)申请人杰华特微电子股份有限公司地址310030浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室(72)发明人许飞(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449专利代理师蔡纯杨思雨(51)Int.Cl.H01L23/49(2006.01)H01L23/492(2006.01)H01L21/782(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构(57)摘要本发明涉及芯片封装技术领域，提供了一种半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构，该方法包括：在晶圆的上表面形成钝化层，并在钝化层上进行开窗，以露出晶圆中每个晶片表面的多个电极；在钝化层的上表面形成交替堆叠的重新布线层和绝缘层，重新布线层位于晶圆的晶片区域内，并通过开窗与多个电极电连接；在顶层的绝缘层上形成开口，以露出重新布线层的部分表面；在开口内的重新布线层表面形成可焊层，以形成每个晶片的外漏引脚；对晶圆进行切割划片，获得多个封装结构芯片。通过使用绝缘层和重新布线层取代传统封装的塑封料和引线框架，可以有效地减小器件的封装尺寸，改善散热和制造成本。CN115995437ACN115995437A权利要求书1/2页1.一种半导体封装结构的制造方法，其中，包括：在晶圆的上表面形成钝化层，并在所述钝化层上进行开窗，以露出所述晶圆中每个晶片表面的多个电极；在所述钝化层的上表面形成交替堆叠的重新布线层和绝缘层，所述重新布线层位于所述晶圆的晶片区域内，并通过所述开窗与所述多个电极电连接；在顶层的所述绝缘层上形成开口，以露出所述重新布线层的部分表面；在所述开口内的所述重新布线层表面形成可焊层，以形成每个晶片的外漏引脚；对所述晶圆进行切割划片，获得多个封装结构芯片。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中，交替堆叠的所述重新布线层和所述绝缘层包括一层重新布线层和一层绝缘层。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中，交替堆叠的所述重新布线层和所述绝缘层包括至少两层重新布线层和至少两层绝缘层；每层重新布线层均位于所述晶圆的晶片区域内，且相邻的两层重新布线层通过该两层重新布线层之间的绝缘层上的开口电连接。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中，在形成顶层的绝缘层之前，还包括：在与顶层的绝缘层相邻的所述重新布线层上形成凹槽。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中，形成可焊层包括：在所述开口内的所述重新布线层表面依次形成镀镍层和镀金层。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构的制造方法，其中，所述镀金层的上表面低于顶层的所述绝缘层的上表面，或者所述镀金层的上表面与顶层的所述绝缘层的上表面齐平。7.根据权利要求1‑6中任一项所述的半导体封装结构的制造方法，其中，所述可焊层的截面形状包括：圆形、椭圆形、矩形和方形中的至少一种。8.一种半导体封装结构，其中，包括：晶片；钝化层，位于所述晶片的上表面，所述钝化层上具有开窗；重新布线层和绝缘层，交替堆叠在所述钝化层的上表面，所述重新布线层通过所述开窗与所述晶片表面的多个电极电连接；开口，形成于顶层的所述绝缘层上，用以露出所述重新布线层的部分表面；可焊层，形成于所述开口内的所述重新布线层表面，所述可焊层用以作为所述半导体封装结构的外漏引脚。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述重新布线层和所述绝缘层各具有一层。10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述重新布线层和所述绝缘层各具有至少两层，且相邻的两层重新布线层通过该两层重新布线层之间的绝缘层上的开口电连接。11.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，与顶层的绝缘层相邻的所述重新布线层上形成有凹槽。2CN115995437A权利要求书2/2页12.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述可焊层包括：形成于所述开口内的所述重新布线层表面的镀镍层和形成于所述镀镍层表面的镀金层。13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中，所述镀金层的上表面低于顶层的所述绝缘层的上表面，或者所述镀金层的上表面与顶层的所述绝缘层的上表面齐平。14.根据权利要求8‑13中任一项所述的半导体封装结构，其中，所述可焊层的截面形状包括：圆形、椭圆形、矩形和方形中的至少一种。3CN115995437A说明书1/5页半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构技术领域[0001]本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种半导体封装结构