晶片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107026122A(43)申请公布日2017.08.08(21)申请号201610827032.8(22)申请日2016.09.14(30)优先权数据2015-1855852015.09.18JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人田渕智隆渡边义雄S·米兰(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉于靖帅(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图11页(54)发明名称晶片的加工方法(57)摘要提供晶片的加工方法。其包含：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了改质层形成工序和保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了分割工序的晶片的保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的保护膜去除。CN107026122ACN107026122A权利要求书1/1页1.一种晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成一个个的器件，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了该改质层形成工序和该保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了该分割工序的晶片的该保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了该刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的该保护膜去除。2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该保护膜形成工序是在实施该改质层形成工序之前实施的。3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，在实施该保护膜形成工序和该改质层形成工序之前，实施如下的晶片支承工序：将晶片的背面或正面粘接在粘合带的正面上，其中，该粘合带的外周部被安装成覆盖环状的框架的内侧开口部。4.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其中，在该分割工序中，对粘接有晶片的粘合带进行扩展而对晶片施加拉力，由此沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件并且在相邻的器件与器件之间形成间隙。5.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其中，在实施该晶片支承工序之前，实施如下的背面磨削工序：在晶片的正面上粘接保护部件并对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度。6.根据权利要求5所述的晶片的加工方法，其中，在实施该背面磨削工序之前，实施如下的保护膜形成工序：在晶片的正面上包覆水溶性树脂而形成保护膜。2CN107026122A说明书1/9页晶片的加工方法技术领域[0001]本发明涉及晶片的加工方法，将在正面上在由呈格子状形成的分割预定线划分出的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成一个个的器件。背景技术[0002]在半导体器件制造工序中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过排列成格子状的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。并且，通过沿着分割预定线切断半导体晶片而对形成有器件的区域进行分割从而制造出一个个的器件。[0003]上述的沿着半导体晶片的分割预定线的切断通常是通过被称为划片器的切削装置而进行的。该切削装置具有：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；切削单元，其具有切削刀具，该切削刀具用于切削由该卡盘工作台保持的被加工物；以及加工进给单元，其使卡盘工作台和切削单元相对地移动，通过使切削刀具旋转并且对保持着被加工物的卡盘工作台进行加工进给，而沿着分割预定线切断晶片。[0004]然而，当通过上述的切削装置的切削刀具切断晶片时，在分割出的一个个的器件的外周容易产生较细的缺口，成为使器件的抗折强度降低的原因。为了消除这样的问题，提出了如下的方法：在晶片的正面或背面包覆抗蚀剂膜，通过对该抗蚀剂膜的与分割预定线对应的区域曝光而显影从而去除，然后，通过等离子刻蚀而从抗蚀剂膜侧沿着分割预定线对晶片进行刻蚀，由此沿着分割预定线分割晶片(例如