晶片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109300842A(43)申请公布日2019.02.01(21)申请号201810756123.6(22)申请日2018.07.11(30)优先权数据2017-1426302017.07.24JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人杉谷哲一(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人庞东成褚瑶杨(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图7页(54)发明名称晶片的加工方法(57)摘要本发明提供一种晶片的加工方法，其能够增加芯片的取得数量。本发明的晶片的加工方法构成为实施激光束照射步骤在晶片(W)的内部形成沿着分割预定线(L)的改质层(S)，并且使用于分割器件层(2)的裂纹(3)从改质层(S)延伸至晶片(W)的表面(Wa)，因而能够不在晶片(W)的表面(Wa)侧形成切削槽，而利用在晶片(W)的内部产生的裂纹(3)分割成各器件层(2)。由此，无需较大地设定分割预定线(L)的宽度，能够增加芯片(C)的取得数量，芯片(C)的生产率提高。在实施激光束照射步骤后，利用切削刀具(61)从晶片(W)的背面(Wb)侧进行切削，形成切削槽(M)，同时除去改质层(S)，因而在芯片(C)中不会残留有改质层(S)，芯片(C)的抗弯强度提高。CN109300842ACN109300842A权利要求书1/1页1.一种晶片的加工方法，所述晶片包含基板、以及在利用在该基板的表面交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有器件的器件层，该加工方法具备下述步骤：激光束照射步骤，在将具有对于晶片来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位在该基板的内部的状态下，沿着该分割预定线照射该激光束，形成沿着该分割预定线的改质层，并且使用于分割该器件层的裂纹从该改质层延伸到晶片的表面；切削步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，利用切削刀具从晶片的背面沿着该分割预定线对晶片进行切削，形成切削槽，同时除去该改质层，所述切削槽在晶片的表面侧残留有包含该器件层的切削剩余部；涂布步骤，在实施了该切削步骤之后，在晶片的背面侧涂布液态芯片结合剂，以不在该切削槽中填充该液态芯片粘贴剂的状态在晶片的背面形成液态芯片结合层；以及固化步骤，在实施了该涂布步骤之后，使该液态芯片结合层固化。2.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，在实施上述激光束照射步骤之前进一步具备薄化步骤，对晶片的背面进行磨削将其薄化至完工厚度。2CN109300842A说明书1/6页晶片的加工方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶片的加工方法，该晶片具有基板、以及在利用在该基板的表面交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有器件的器件层。背景技术[0002]作为将晶片分割成各个器件的方法，例如有下述方法：通过沿着分割预定线向晶片的内部照射激光束而在晶片的内部形成改质层，其后沿着分割预定线施加外力，以改质层为起点对晶片进行分割(例如参照下述的专利文献1)。作为对晶片施加外力的装置，有能够借助扩展带将被环状框架支承的晶片沿面方向扩展的扩展装置(例如参照下述的专利文献2)。在利用该扩展装置对晶片进行分割时，在晶片的背面借助例如被称为芯片贴装膜(DAF)的粘接膜来粘贴扩展带，通过对扩展带进行扩展而使粘接膜与晶片一起断裂。在芯片尺寸小的情况下，即使使用上述扩展装置来对扩展带进行扩展，有时也产生粘接膜未沿着芯片断裂的未分割区域。[0003]另外，还有通过激光切割来断裂粘接膜的方法，但在芯片尺寸小时要花费加工时间。因此提出了下述的加工方法：实施DBG(先切割后研磨，DicingBeforeGrinding)，在晶片的表面侧形成切削槽，通过磨削将背面侧薄化，将晶片分割成各个芯片，之后向该晶片的背面喷射而涂布液态芯片结合剂并使其固化，从而在各芯片上形成粘接层(例如参照专利文献3)。根据该加工方法，无需利用激光束等切断粘接层，因而能够缩短粘接层的形成中所需要的时间。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1：日本专利第3408805号公报[0007]专利文献2：日本特开2007-27250号公报[0008]专利文献3：日本特开2016-207936号公报发明内容[0009]发明所要解决的课题[0010]但是，在上述专利文献3的加工方法中，利用切削刀具对晶片的表面侧(形成有器件的图案面侧)进行切削，因而分割预定线的宽度需要大于切削刀具的厚度(切割宽度)。若分割预定线的宽度增大，则存在能够从晶片取得的芯片的取得数量减少、生产率降低的问题。[0011]因此，本发明的目的在于提供一种能够增加芯片的取得数量的晶片的加工方法。[0012]用于解决课题的手段[0013]根据本