掩膜板及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107119288A(43)申请公布日2017.09.01(21)申请号201710368266.5(22)申请日2017.05.23(71)申请人上海天马有机发光显示技术有限公司地址201201上海市浦东新区龙东大道6111号1幢509室(72)发明人李春霞(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王宝筠(51)Int.Cl.C25D1/10(2006.01)C23C14/04(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称掩膜板及其制作方法(57)摘要本申请公开了一种掩膜板制作方法，包括：提供基板；在基板上形成导电的过渡层；在过渡层上形成绝缘的掩膜板定义层，掩膜板定义层上具有多个开口，以暴露出过渡层；以所述掩膜板定义层为掩膜，以掩膜板定义层上的多个开口暴露出的过渡层为电极，采用电铸工艺，在掩膜板定义层的开口内形成电铸膜；去除所述掩膜板定义层，保留电铸膜；采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述过渡层，得到掩膜板；其中，电铸膜与过渡层之间的附着力，小于过渡层与基板之间的附着力，以及小于电铸膜与基板之间的附着力。本发明相较于现有技术，在将电铸膜剥离过渡层的过程中，减小了对电铸膜的损伤，在一定程度上提高了掩膜板的成品率。CN107119288ACN107119288A权利要求书1/2页1.一种掩膜板制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成过渡层，所述过渡层的材料为导电材料；在所述过渡层上形成掩膜板定义层，所述掩膜板定义层上具有多个开口，以暴露出所述过渡层，且所述掩膜板定义层的材料为绝缘材料；以所述掩膜板定义层为掩膜，以所述掩膜板定义层上的多个开口暴露出的所述过渡层为电极，采用电铸工艺，在掩膜板定义层的所述开口内形成电铸膜；去除所述掩膜板定义层，保留所述电铸膜；采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述过渡层，得到掩膜板；其中，所述电铸膜与所述过渡层之间的附着力，小于所述过渡层与所述基板之间的附着力，且所述电铸膜与所述过渡层之间的附着力，小于所述电铸膜与所述基板之间的附着力。2.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料为导电材料。3.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料的布氏硬度大于100HV。4.根据权利要求3所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料为金属。5.根据权利要求4所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料为不锈钢。6.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为软金属、石墨烯、导电聚合物、或透明金属氧化物。7.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述软金属为布氏硬度在20HV-58HV以内的金属。8.根据权利要求7所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述软金属为金、银、锡、铅、镁、或铟。9.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述导电聚合物为含有共轭π键的高分子聚合物。10.根据权利要求9所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述导电聚合物为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、或聚双炔。11.根据权利要求6所述的掩膜板制作方法，其特征在于，透明金属氧化物为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化锑锡ATO、或氧化铝锌AZO。12.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述电铸膜的材料为镍、镍钴合金、或铁镍合金。13.根据权利要求8所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为软金属、导电聚合物、或透明金属氧化物时，所述在所述基板上形成过渡层具体为，采用溅射工艺或电沉积工艺，在所述基板上形成所述过渡层，所述过渡层的厚度在0.1μm～0.5μm以内。14.根据权利要求8所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述过渡层的材料为石墨烯时，所述在所述基板上形成过渡层具体为，采用旋涂工艺或化学气相沉积工艺，在所述基板上形成所述过渡层，所述过渡层的厚度小于2μm。15.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，掩膜板定义层的材料为光刻胶。2CN107119288A权利要求书2/2页16.一种采用权利要求1-15任一项所述的掩膜板方法制作而成的掩膜板。3CN107119288A说明书1/6页掩膜板及其制作方法技术领域[0001]本申请涉及掩膜板技术领域，更具体地说，涉及一种掩膜板及其制作方法。背景技术[0002]掩膜板是半导体芯片、微机电产品、显示面板等制造过程中经常使用的工具之一，其可结合光刻、蒸镀、溅射等工艺，以形成半导体结构。一般情况下，掩膜板是在金属薄板的特定位置上制作出工艺所需的开口，之后再进行光刻、刻蚀、蒸镀、溅射等工艺，在半导体膜层上形成特定图案。[0003]随着半