掩膜板支撑框架、掩膜板及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114990478A(43)申请公布日2022.09.02(21)申请号202210609958.5(22)申请日2022.05.31(71)申请人成都拓维高科光电科技有限公司地址610000四川省成都市高新区康强一路1188号(72)发明人周俊吉李哲赵阳刘鑫(74)专利代理机构成都蓉创智汇知识产权代理有限公司51276专利代理师赵雷(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称掩膜板支撑框架、掩膜板及其制作方法(57)摘要本发明公开了掩膜板支撑框架、掩膜板及其制作方法，包括拉伸焊接在掩膜板框架上的支撑架，所述支撑架为整体开模形成的一体式支撑架，所述一体式支撑架包括呈镂空网格状设置的横向遮挡条和竖向支撑条，所述遮挡条上设置有用于焊接掩膜条的预留位，所述预留位上设置有减重机构。本发明通过取消一体化掩膜板支撑框架纵向方向边缘两条支撑条，由此减小掩膜板框架长边方向张力，取消纵向方向支撑条的位置做微刻蚀并对应张网更薄支撑条，用以解决现有边缘混色不良问题。CN114990478ACN114990478A权利要求书1/1页1.掩膜板支撑框架，其特征在于，包括拉伸焊接在掩膜板框架(4)上的支撑架(1)，所述支撑架(1)为整体开模形成的一体式支撑架(1)，所述一体式支撑架(1)包括呈镂空网格状设置的横向遮挡条(11)和竖向支撑条(12)，所述遮挡条(11)上设置有用于焊接掩膜条(2)的预留位，所述预留位上设置有减重机构。2.根据权利要求1所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述减重机构为沿平行于支撑条(12)的方向开设在所述遮挡条(11)一侧上的微蚀刻凹槽(3)，以使掩膜条(2)嵌置在所述微蚀刻凹槽(3)内。3.根据权利要求2所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述减重机构为沿平行于支撑条(12)的方向对称开设在遮挡条(11)两侧的两组微蚀刻凹槽(3)A、B。4.根据权利要求2所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述各支撑条(12)均匀间隔设置，两组微蚀刻凹槽(3)A、B分别距各自相对的支撑条(12)之间的距离L1与各支撑条(12)之间的距离L2相等。5.根据权利要求2所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述掩膜条(2)的厚度与微蚀刻凹槽(3)深度相同，以使掩膜条(2)内嵌与所述微蚀刻凹槽(3)时，所述掩膜条(2)的顶面与遮挡条(11)的顶面齐平。6.根据权利要求5所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述微蚀刻凹槽(3)的深度为30～40μm。7.根据权利要求1所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述支撑条(12)的厚度与所述遮挡条(11)的厚度相同，均为80～100μm。8.根据权利要求1所述的掩膜板支撑框架，其特征在于，所述支撑架(1)为具有磁力的磁条。9.一种掩膜板制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：提供中部为中空区的掩膜板框架(4)；提供支撑架(1)，并采用半刻蚀工艺或/和全刻蚀工艺在所述支撑架(1)的预留位上形成微蚀刻凹槽(3)；将所述支撑架(1)焊接在掩膜板框架(4)上，以使遮挡条(11)沿横向方向跨设于所述掩膜板框架(4)的中空区，支撑条(12)沿纵向方向跨设于所述框架的中空区，所述支撑条(12)、遮挡条(11)的两端分别与所述框架连接；在对应的微蚀刻凹槽(3)内通过张网拉伸工艺嵌置掩膜条(2)；将金属掩膜单元(51)沿所述横向方向跨设于所述掩膜板框架(4)的中空区，且所述金属掩膜单元(51)沿所述横向方向的两侧分别与所述掩膜板框架(4)连接由所述支撑架(1)支撑，并将多个所述金属掩膜沿纵向方向依次排列。10.一种掩膜板，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项掩膜板支撑框架以及覆盖于所述掩膜板支撑框架上的掩膜层(5)，所述掩膜层(5)包括多个金属掩膜单元(51)。2CN114990478A说明书1/5页掩膜板支撑框架、掩膜板及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及掩膜板技术领域，具体涉及掩膜板支撑框架、掩膜板及其制作方法。背景技术[0002]掩膜支撑框架用于精密金属掩膜的张网，支撑掩膜主要分为CH方式和一体化方式，目前，一体化支撑已经成为国内的主流方式，然而，其也存在一定的缺陷，由于一体化支撑一次性张网的特点，其掩膜片边缘四角的拉力远远大于中间部位，因此，容易造成掩膜框架形变量大，或拉力不对称导致的变形或潜在变形风险，使得在后续FMM张网使用过程中出现问题，容易造成一体化掩膜存在边缘混色不良现象。发明内容[0003]本发明的目的在于提供掩膜板支撑框架、掩膜板及其制作方法，取消一体化掩膜板支撑框架纵向方向边缘两条支撑条，由此减小掩膜板框架长边方向张力，取消纵向方向支撑条的位置做微