一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107146770A(43)申请公布日2017.09.08(21)申请号201710326373.1(22)申请日2017.05.10(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥京东方光电科技有限公司(72)发明人宫奎段献学(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319代理人莎日娜(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图6页(54)发明名称一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置(57)摘要本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，其中制备方法包括：提供一基板，该基板包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和包含漏极过孔的钝化层，在钝化层上形成一碳膜层并在碳膜层上形成一光刻胶层，对光刻胶层进行图案化处理，以形成暴露出碳膜层的部分对应区域的完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，以光刻胶层为掩膜，对第一区域暴露出的碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层，最后去除光刻胶层，该制备方法可用于同时制备像素界定层与像素电极，无需再次成膜和图案化处理工艺制作像素界定层覆盖像素电极边缘，简化了阵列基板的制备工艺，节约了成本。CN107146770ACN107146770A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔；在所述钝化层上形成一碳膜层；在所述碳膜层上形成一光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域；以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层；去除所述光刻胶层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳膜层为氧化石墨烯层，所述在所述钝化层上形成一碳膜层的步骤包括：将氧化石墨烯分散在溶剂中形成悬浮液；将所述悬浮液涂布在所述钝化层上，以及填充暴露所述漏极的漏极过孔；对所述钝化层上的悬浮液加热，蒸发所述悬浮液中的溶剂，得到氧化石墨烯层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域的步骤包括：对像素电极区域对应的光刻胶层进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域；对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素电极区域对应的氧化石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素界定层区域对应的氧化石墨烯层的完全保留的第二区域。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层的步骤包括：以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理，得到材质为石墨烯的像素电极，未被还原处理的第二区域覆盖的氧化石墨烯层为像素界定层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理具体为：使用氢、氩等离子处理所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层，使氧化石墨烯还原为石墨烯层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳膜层为石墨烯层，所述在所述钝化层上形成一碳膜层的步骤包括：通过溅射、热蒸发、旋涂、喷涂或者狭缝涂布方式在所述钝化层上形成石墨烯层，以及填充至暴露所述漏极的漏极过孔。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域的步骤包括：对像素界定层区域对应的光刻胶层区域进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域；2CN107146770A权利要求书2/2页对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素界定层区域对应的石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素电极对应的石墨烯层的完全保留的第二区域。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层的步骤包括：以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的石墨烯层进行氧化处理得到材质为氧化石墨烯的像素界定层，未被氧化处理的第二区域覆盖的石墨烯层