阵列基板制备方法及阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110047801A(43)申请公布日2019.07.23(21)申请号201910318515.9(22)申请日2019.04.19(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人许家豪宋亮赵吾阳季雨菲程浩(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人刘悦晗陈源(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)H01L21/3065(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称阵列基板制备方法及阵列基板(57)摘要本发明提供一种阵列基板制备方法及阵列基板，通过将承载衬底基板的第一电极的温度调节为预设温度，在利用工艺气体刻蚀金属膜层的过程中，小部分光刻胶层融化、剥落，在金属膜层未被光刻胶层覆盖的区域，刻蚀形成的凹陷部的侧壁形成保护层，保护层可以在刻蚀过程中保证已形成的凹陷部的侧壁不会被继续刻蚀，且在刻蚀过程中，将第一电极的温度保持在预设温度，使得保护层不会快速灰化。这样，在刻蚀完成后，金属走线的线宽大于刻蚀前预留的用于涂覆光刻胶的区域的宽度，因此，可以减小曝光后的光刻胶层的线宽，相应增加金属走线的线间距，从而避免短路的发生，同时刻蚀后的金属走线的线宽也可以满足设计要求。CN110047801ACN110047801A权利要求书1/1页1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：将反应腔室内的第一电极的温度调节至能够减缓光刻胶灰化速度的预设温度；将依次形成有金属膜层和光刻胶层的衬底基板放置在所述第一电极上，其中，所述衬底基板邻近所述第一电极；利用工艺气体刻蚀所述金属膜层未被所述光刻胶层覆盖的区域，在刻蚀过程中，将所述第一电极的温度保持在所述预设温度，用以在所述金属膜层刻蚀形成的凹陷部的侧壁形成用于保护所述金属膜层的保护层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度为20-50℃。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺气体为不与C、N、O元素发生反应的气体。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述工艺气体包括第一气体和/或第二气体。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用工艺气体刻蚀所述金属膜层，具体包括：向所述第一电极加载第一功率，向所述反应腔室内的第二电极加载第二功率，在预设时长内向所述反应腔室内以预设流量通入第一气体和/或第二气体，并保持所述反应腔室内的压力为预设压力。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一功率为0-25000W，所述第二功率为5000-25000W；所述预设时长为20-120s，所述预设流量为500-10000sccm，所述预设压力为5-200mT。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一气体为Cl2，所述第二气体为BCl3。8.如权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，在所述金属膜层未被所述光刻胶层覆盖的区域刻蚀完成之后，所述方法还包括：向所述反应腔室中通入第三气体，用以利用所述第三气体去除所述保护层和所述光刻胶层。9.一种阵列基板，包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的金属走线，其特征在于，所述金属走线的线宽大于刻蚀前预留的用于涂覆光刻胶的区域的宽度。10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述金属走线垂直于所述衬底基板的截面呈梯形，且所述梯形邻近所述衬底基板的底边大于远离所述衬底基板的底边。2CN110047801A说明书1/4页阵列基板制备方法及阵列基板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板制备方法及阵列基板。背景技术[0002]随着显示技术的发展，显示器件分辨率越来越高，薄膜晶体管的尺寸越来越小，在保证线宽一定的情况下，线间距会越来越小。由于曝光机解像力限制，线间距减小到一定程度时，会造成线间距位置的光刻胶曝光不完全，显影后存在光刻胶残留，金属走线刻蚀不充分，容易发生短路，引发点线不良。如果为了保证线间距足够大，相应的，曝光后的光刻胶的线宽较小，若采用常规刻蚀方法，刻蚀后的金属走线的线宽会小于曝光后的光刻胶的线宽，这样，刻蚀后的金属走线的线宽就无法满足设计要求。发明内容[0003]本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板制备方法即阵列基板，用以至少部分解决曝光后的光刻胶的线宽与金属走线线间距无法兼顾的问题。[0004]本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：[0005]本发明提供一种阵列基板制备方法，所述方法包括：[0006]将反应腔室内的第一电极的温度调节至能够减缓光刻胶灰化速度的预设温度；[0007]将依次形成有金属膜层和光刻胶层的衬底基板放置在所