阵列基板的制备方法和阵列基板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115274687A(43)申请公布日2022.11.01(21)申请号202210785856.9(22)申请日2022.07.04(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人任武峰徐俊刘忠杰(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师熊明(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)H01L29/40(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称阵列基板的制备方法和阵列基板(57)摘要本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法和阵列基板，该方法包括提供一衬底；在衬底上依次形成第一金属层和第二金属层；在第二金属层上形成掩膜层；对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层；通过剥离液去除掩膜层，得到由图案化的第一金属层和图案化的第二金属层构成的栅极层；在图案化的第一金属层与图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽内残留的剥离液。本申请在去除掩膜层后增加一道离子化氧气的灰化工艺，去除残留的剥离液，减小金属沟槽内金属掏空现象的产生，避免发生静电释放，提升产品品质。CN115274687ACN115274687A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一金属层和第二金属层；在所述第二金属层上形成掩膜层；对所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层；通过剥离液去除所述掩膜层，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层；在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液，包括：所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内残留的所述剥离液中的胺与所述图案化的第二金属层中的金属原子发生反应生成反应产物；在所述金属沟槽内通入氧气；通过离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水；通过抽真空处理将所述气体和水排出，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水，包括：通过射频电源或高功率电源对所述氧气进行离子化处理；通过所述离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水，其中，所述气体包括二氧化碳和/或一氧化碳。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二金属层上形成掩膜层，包括：在所述第二金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层分别进行曝光和显影，形成所述掩膜层。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层，包括：将所述衬底、所述第一金属层、所述第二金属层以及所述掩膜层浸没于铜酸刻蚀液中；通过所述铜酸刻蚀液对所述第一金属层和所述第二金属层进行湿法刻蚀，形成所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层，其中，所述图案化的第一金属层在所述衬底上的正投影区域和所述图案化的第二金属层在所述衬底上的正投影区域均位于所述掩膜层在所述衬底上的正投影区域内。6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过剥离液去除所述掩膜层，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层，包括：通过剥离液对所述掩膜层进行光刻胶去除，得到由所述图案化的第一金属层和所述图2CN115274687A权利要求书2/2页案化的第二金属层构成的栅极层，其中，所述图案化的第二金属层在所述衬底上的正投影区域位于所述图案化的第一金属层在所述衬底上的正投影区域内。7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一金属层中的金属材料包括钼、钛或钼钛合金，所述第二金属层中的金属材料包括铜或铝。8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留