阵列基板的制备方法和阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114220772A(43)申请公布日2022.03.22(21)申请号202111518178.1(22)申请日2021.12.13(71)申请人合肥维信诺科技有限公司地址230037安徽省合肥市新站区魏武路与新蚌埠路交口西南角(72)发明人李锦(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人张娜臧建明(51)Int.Cl.H01L21/84(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图9页(54)发明名称阵列基板的制备方法和阵列基板(57)摘要本申请提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板，该制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层；其中，阻氢层位于金属氧化物半导体层和含氢层之间；在形成阻氢层的步骤中包括：形成金属层；氧化处理部分金属层，保留其余部分金属层；其中，氧化处理的金属层形成阻氢层，保留的至少部分金属层与金属氧化物半导体层相对应，且分别形成金属氧化物薄膜晶体管的栅极层和有源层。阻氢层用于阻挡含氢层中的氢扩散到MO薄膜晶体管的有源层中。因此，本申请实施例提供的阵列基板的制备方法和阵列基板，能够提高金属氧化物薄膜晶体管的可靠性，从而提高阵列基板的可靠性。CN114220772ACN114220772A权利要求书1/3页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层；其中，所述阻氢层位于所述金属氧化物半导体层和含氢层之间；在形成所述阻氢层的步骤中包括：形成金属层；氧化处理部分所述金属层，保留其余部分所述金属层；其中，氧化处理的所述金属层形成所述阻氢层，保留的所述金属层中的至少部分在所述衬底上的正投影，与所述金属氧化物半导体层在所述衬底上的正投影至少部分重叠，且分别形成金属氧化物薄膜晶体管的栅极层和有源层。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述含氢层位于所述金属氧化物半导体层的靠近所述衬底的一侧，且所述含氢层包括低温多晶硅半导体层；所述在所述衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层的步骤中，具体包括：在所述衬底上形成所述低温多晶硅半导体层；在所述低温多晶硅半导体层的远离所述衬底的一侧形成所述阻氢层；在所述阻氢层的远离所述衬底的一侧形成所述金属氧化物半导体层。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述衬底上还形成有电容，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极层包括底栅层，所述底栅层位于所述金属氧化物半导体层靠近所述衬底的一侧；保留的所述金属层形成所述底栅层；优选的，保留的所述金属层形成所述电容的其中一个电极层，所述电容的电极层与所述底栅层电性绝缘；或，保留的所述金属层形成低温多晶硅薄膜晶体管的栅极层，所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极层与所述底栅层电性绝缘；或，保留的所述金属层形成低温多晶硅薄膜晶体管的栅极层和所述电容的其中一个电极层，所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极层、所述电容的电极层以及所述底栅层均电性绝缘。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述含氢层位于所述金属氧化物半导体层的远离所述衬底的一侧，且所述含氢层包括层间介质层；所述在所述衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层的步骤中，具体包括：在所述衬底上形成金属氧化物半导体层；在所述金属氧化物半导体层的远离所述衬底的一侧形成所述阻氢层；在所述阻氢层的远离所述衬底的一侧形成所述层间介质层。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述衬底上还形成有电容，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极层包括顶栅层，所述顶栅层位于所述金属氧化物半导体层远离所述衬底的一侧；保留的所述金属层形成所述顶栅层；优选的，保留的所述金属层形成所述电容的其中一个电极层，所述电容的电极层与所述顶栅层电性绝缘。6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述含氢层包括低温多晶硅半导体层和层间介质层，所述低温多晶硅半导体层位于所述金属氧化物半导体层的靠近2CN114220772A权利要求书2/3页所述衬底的一侧，所述层间介质层位于所述金属氧化物半导体层的远离所述衬底的一侧；所述阻氢层包括第一阻氢层和第二阻氢层，所述第一阻氢层位于所述金属氧化物半导体层和所述低温多晶硅半导体层之间，所述第二阻氢层位于所述金属氧化物半导体层和所述层间介质层之间；所述在所述衬底上形成金属氧化物半导体层、阻氢层和含氢层的步骤中，具体包括：在所述衬底上形成所述低温多晶硅半导体层；在所述低温多晶硅半导体层的远离所述衬底的一侧形成所述第一阻氢层；在所述第一阻氢层的远离所述衬底的一侧形成所述金属氧化物半导体层；在所述金属氧化物半导体层远离所述衬