半导体结构、扇出型封装结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107301984A(43)申请公布日2017.10.27(21)申请号201710652838.2(22)申请日2017.08.02(71)申请人中芯长电半导体（江阴）有限公司地址214437江苏省无锡市江阴市长山大道78号(72)发明人陈彦亨林正忠(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/48(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称半导体结构、扇出型封装结构及其制备方法(57)摘要本发明提供一种半导体结构、扇出型封装结构及其制备方法，所述半导体结构包括：衬底；剥离胶层，位于所述衬底的上表面；塑封材料层，位于所述剥离胶层的上表面；半导体芯片，塑封于所述塑封材料层内，且正面朝向倒装键合于所述剥离胶层的上表面；环氧树脂层，塑封于所述塑封材料层内。本发明的半导体结构在剥离胶层与半导体芯片之间设置环氧树脂层，在将改半导体结构用于封装结构时，去除衬底和剥离胶层之后，再将环氧树脂层剥离，可以使得半导体芯片的正面无任何胶残留，便于半导体结构与重新布线层的电连接，可以确保形成的封装结构的性能。CN107301984ACN107301984A权利要求书1/2页1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；剥离胶层，位于所述衬底的上表面；塑封材料层，位于所述剥离胶层的上表面；所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面，所述塑封材料层的第一表面与所述剥离胶层的上表面相接触；半导体芯片，塑封于所述塑封材料层内，且正面朝向倒装键合于所述剥离胶层的上表面；环氧树脂层，塑封于所述塑封材料层内，且位于所述半导体芯片与所述剥离胶层之间，以使得所述半导体芯片的正面相较于所述塑封材料层的第一表面内凹预设深度。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述剥离胶层包括感压胶带或感压胶涂层。3.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：塑封材料层，所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面；半导体芯片，塑封于所述塑封材料层内，且所述半导体芯片的正面相较于所述塑封材料层的第一表面内凹预设深度；重新布线层，位于所述塑封材料层的第一表面，且与所述半导体芯片电连接；焊料凸块，位于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面，且与所述重新布线层电连接。4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：电介质层；金属线层，位于所述电介质层内。5.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：电介质层；金属叠层结构，位于所述电介质层内；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。6.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层、环氧树脂层、可固化的聚合物基材料层或可固化的树脂基材料层。7.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊球凸块包括：金属柱，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；焊球，位于所述金属柱的远离所述半导体芯片的表面。8.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊料凸块为焊球。9.一种扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述扇出型封装结构的制备方法包括如下步骤：1)提供衬底；2)于所述衬底的上表面形成剥离胶层；3)提供半导体芯片，并将所述半导体芯片通过环氧树脂层倒装键合于所述剥离胶层的上表面；4)于所述剥离胶层的上表面形成塑封材料层，所述塑封材料层填满所述半导体芯片之2CN107301984A权利要求书2/2页间及所述环氧树脂层之间的间隙，并将所述半导体芯片及所述环氧树脂层封裹塑封；所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面，所述塑封材料层的第一表面与所述剥离胶层的上表面相接触；5)去除所述衬底、所述剥离胶层及所述环氧树脂层；6)于所述塑封材料层的第一表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；7)于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面形成焊料凸块。10.根据权利要求9所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)中，于所述衬底的上表面形成的剥离胶层包括感压胶带或感压胶涂层。11.根据权利要求9所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤4)中，采用采用压缩成型工艺、传递模塑成型工艺、液封成型工艺、真空层压工艺或旋涂工艺于所述剥离胶层的上表面形成所述塑封材料层。12.根据权利要求9所述的扇出型封装结构的制备方法，