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扇出型封装结构及其制造方法.pdf
2023-06-02
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斌斌****公主
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扇出型封装结构及其制造方法.pdf
本申请公开了一种扇出型封装结构及其制造方法。扇出型封装结构包括：上重布线层、晶粒、无源元件和有源元件。上重布线层包含第一面和相对所述第一面的第二面。晶粒设置在所述上重布线层的所述第一面上且与所述上重布线层电连接。无源元件设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接。有源元件设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接，其中所述有源元件与所述无源元件横向地相邻，以及所述晶粒通过所述上重布线层与所述有源元件和所述无源元件电连接。本申请通过无源元件的设置，使得可在不增加封装尺寸的前提
2023-06-02
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扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构.pdf
本发明的实施例提供了一种扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。通过在载具的表面贴装形成第一胶膜凸起，然后塑封后形成包覆在第一胶膜凸起外的塑封体，然后去除载具和第一胶膜凸起，保留了具有第一凹槽的塑封体，然后在第一凹槽内贴装第一芯片，并在塑封体的表面形成钝化层，最后形成布线组合层并完成植球。相较于现有技术，本发明能够避免使用硅衬底刻蚀凹槽的方式来防止芯片，从而避免了刻蚀带来的一系列问题。并且采用胶膜凸起倒模的方式，降低了工艺难度，并且对于第一凹槽的尺寸管控更为精确，有利于芯片的安装。
2023-11-06
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扇出型封装结构及其制作方法.pdf
本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，结构包括：衬底；封装单元，所述封装单元包括重新布线层及器件结构，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面，所述重新布线层的第一面具有介质层，所述器件结构连接于所述重新布线层的第二面，所述器件结构固定于所述衬底上。本发明提供了一种可以有效减小介质层去除过程中的翘曲度的封装结构及方法。本发明可以减小翘曲的影响，保证刻蚀速度和均匀性，提高产品收率。本发明可以避免传统工艺中晶圆边缘的介质层的翘曲及起皮等现象，从而避免介质层起皮等现象对腔室造成的污染。本发明可以采用电浆去胶
2023-06-11
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半导体结构、扇出型封装结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种半导体结构、扇出型封装结构及其制备方法，所述半导体结构包括：衬底；剥离胶层，位于所述衬底的上表面；塑封材料层，位于所述剥离胶层的上表面；半导体芯片，塑封于所述塑封材料层内，且正面朝向倒装键合于所述剥离胶层的上表面；环氧树脂层，塑封于所述塑封材料层内。本发明的半导体结构在剥离胶层与半导体芯片之间设置环氧树脂层，在将改半导体结构用于封装结构时，去除衬底和剥离胶层之后，再将环氧树脂层剥离，可以使得半导体芯片的正面无任何胶残留，便于半导体结构与重新布线层的电连接，可以确保形成的封装结构的性能。
2023-11-19
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扇出型封装结构的制备方法.pdf
本发明提供了一种扇出型封装结构的制备方法，包括：提供衬底及载板，衬底与载板贴合，衬底包括若干封装区域，封装区域内形成有暴露载板的开口；提供待封装芯片，将待封装芯片置于开口内的载板上，待封装芯片的有源面朝向载板且待封装芯片的厚度小于开口的深度；在开口内形成散热结构，覆盖待封装芯片的侧壁及顶壁；移除载板，暴露待封装芯片的有源面，并在衬底及待封装芯片上形成重布线结构，与有源面连接以电性引出待封装芯片。本发明中，利用散热结构覆盖待封装芯片的侧壁及无源面，使得待封装芯片具有较大的散热面积，从而使得扇出型封装结构具有
2023-06-01
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