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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954329A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202111419542.9H01L23/538(2006.01)(22)申请日2021.11.26H01L21/48(2006.01)(30)优先权数据1101376252021.10.08TW(71)申请人力成科技股份有限公司地址中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路10号(72)发明人蔡佩君徐宏欣廖敬伟张简上煜(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218专利代理师翟羽(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称扇出型封装结构及其制造方法(57)摘要本申请公开了一种扇出型封装结构及其制造方法。扇出型封装结构包括:上重布线层、晶粒、无源元件和有源元件。上重布线层包含第一面和相对所述第一面的第二面。晶粒设置在所述上重布线层的所述第一面上且与所述上重布线层电连接。无源元件设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接。有源元件设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接,其中所述有源元件与所述无源元件横向地相邻,以及所述晶粒通过所述上重布线层与所述有源元件和所述无源元件电连接。本申请通过无源元件的设置,使得可在不增加封装尺寸的前提下实现多个元件之间的电连接。CN115954329ACN115954329A权利要求书1/2页1.一种扇出型封装结构,其特征在于,所述扇出型封装结构包括:上重布线层,包含第一面和相对所述第一面的第二面;晶粒设置在所述上重布线层的所述第一面上且与所述上重布线层电连接;无源元件,设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接;以及有源元件,设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接,其中所述有源元件与所述无源元件横向相邻,以及所述晶粒通过所述上重布线层与所述有源元件和所述无源元件电连接。2.如权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述有源元件在所述上重布线层上的正投影与所述晶粒在所述上重布线层上的正投影部分重叠,以及所述无源元件在所述上重布线层上的正投影与所述晶粒在所述上重布线层上的所述正投影重叠。3.如权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述上重布线层包含:第一连接垫,形成在所述第一面,配置为与所述晶粒连接;多个第二连接垫,形成在所述第二面,配置为与所述无源元件连接;第三连接垫,形成在所述第二面,配置为与所述有源元件连接;第一导线,形成在所述上重布线层内,配置为纵向连接所述第一连接垫和所述多个第二连接垫的其中之一;第二导线,形成在所述上重布线层内,配置为横向连接所述多个第二连接垫的其中之一和所述第三连接垫。4.如权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述扇出型封装结构还包含:第一绝缘层,设置所述上重布线层的所述第二面上,配置为封装所述无源元件和所述有源元件;以及第二绝缘层,设置在所述晶粒和所述上重布线层上,配置为封装所述晶粒,其中所述第二绝缘层包含开口,且所述晶粒的表面通过所述开口曝露在外部。5.如权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述扇出型封装结构还包含:下重布线层;以及图案化黏胶层,设置在所述下重布线层上,其中所述无源元件和所述有源元件的表面通过所述图案化黏胶层与所述下重布线层黏接,以及所述无源元件和所述有源元件的另一表面与所述上重布线层电连接。6.如权利要求5所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述扇出型封装结构还包含:第一导电柱,连接所述上重布线层和所述下重布线层;第二导电柱,连接所述无源元件和所述上重布线层;以及第三导电柱,连接所述有源元件和所述上重布线层,其中所述第一导电柱的间距大于或等于所述第三导电柱的间距,且所述第三导电柱的所述间距大于或等于所述第二导电柱的间距。7.如权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述扇出型封装结构还包含底胶层,设置在所述上重布线层和所述晶粒之间。8.如权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述扇出型封装结构还包含保护环或保护盖,设置在所述上重布线层的所述第一面上且环绕所述晶粒。9.一种扇出型封装结构的制造方法,其特征在于,所述扇出型封装结构的制造方法包2CN115954329A权利要求书2/2页含:提供下重布线层;形成无源元件和有源元件在所述下重布线层上;形成一上重布线层在所述无源元件和所述有源元件上,其中所述无源元件和所述有源元件与所述上重布线层电连接,且所述无源元件和所述有源元件横向地相邻;以及形成晶粒在所述上重布线层上,其中所述晶粒通过所述上重布线层与所述无源元件和所述有源元件电连接。10.如权利要求9所述的扇出型