扇出型封装结构的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966474A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211700107.8(22)申请日2022.12.28(71)申请人复旦大学地址200433上海市杨浦区邯郸路220号(72)发明人刘子玉张卫崔文菁汪洋王浩陈琳孙清清(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师郑星(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L23/495(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称扇出型封装结构的制备方法(57)摘要本发明提供了一种扇出型封装结构的制备方法，包括：提供衬底及载板，衬底与载板贴合，衬底包括若干封装区域，封装区域内形成有暴露载板的开口；提供待封装芯片，将待封装芯片置于开口内的载板上，待封装芯片的有源面朝向载板且待封装芯片的厚度小于开口的深度；在开口内形成散热结构，覆盖待封装芯片的侧壁及顶壁；移除载板，暴露待封装芯片的有源面，并在衬底及待封装芯片上形成重布线结构，与有源面连接以电性引出待封装芯片。本发明中，利用散热结构覆盖待封装芯片的侧壁及无源面，使得待封装芯片具有较大的散热面积，从而使得扇出型封装结构具有较佳的散热效果。CN115966474ACN115966474A权利要求书1/2页1.一种扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底及载板，所述衬底与所述载板贴合，所述衬底包括若干封装区域，所述封装区域内形成有暴露所述载板的开口；提供待封装芯片，将所述待封装芯片置于所述开口内的载板上，所述待封装芯片的有源面朝向所述载板且所述待封装芯片的厚度小于所述开口的深度；在所述开口内形成散热结构，覆盖所述待封装芯片的侧壁及顶壁；移除所述载板，暴露所述待封装芯片的有源面，并在所述衬底及所述待封装芯片上形成重布线结构，与所述有源面连接以电性引出所述待封装芯片。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述开口以暴露所述载板的步骤包括：所述衬底包括相对的第一面及第二面，在所述第一面的若干封装区域形成若干凹槽，所述凹槽的深度大于所述待封装芯片的厚度；从所述第二面减薄所述衬底至所述凹槽形成所述开口；将所述衬底与所述载板键合。3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述散热结构的步骤包括：形成绝缘层，覆盖所述衬底的表面、所述开口的内壁及所述待封装芯片显露的外壁；形成第一散热层，覆盖所述绝缘层的表面，并填充至所述开口的上方；以所述衬底的表面为研磨停止层执行研磨工艺，所述开口内的绝缘层及第一散热层构成所述散热结构，所述散热结构的表面与所述衬底的表面齐平。4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述衬底的材质包括硅，所述绝缘层的材质包括氧化硅。5.根据权利要求3所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一散热层的材质包括铜，且在所述绝缘层与所述第一散热层之间还设有粘附层。6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，每个所述封装区域包括一个所述开口及一个所述待封装芯片，在形成所述重布线结构的过程中，对每个所述封装区域分别进行对准及曝光。7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述重布线结构包括依次形成的第一隔离材料层、第二隔离材料层、第一重布线层、第三隔离材料层、第四隔离材料层及第二重布线层，所述第一重布线层形成于所述第一隔离材料层及所述第二隔离材料层中，并与所述待封装芯片连接，所述第二重布线层形成于所述第三隔离材料层及所述第四隔离材料层中，并与所述第一重布线层连接。8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，在图形化所述第一隔离材料层及所述第二隔离材料层时，采用所述封装区域的标记并结合所述待封装芯片的图形进行对准及曝光，在图形化所述第三隔离材料层及所述第四隔离材料层时，采用所述封装区域的标记并结合所述第一重布线层的图形进行对准及曝光。9.根据权利要求7所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，还与所述第一重布线层及所述第二重布线层同步形成第二散热层，所述第二散热层设于所述第二隔离材料层、所述第三隔离材料层及所述第四隔离材料层中且位于所述重布线结构的中间区域。2CN115966474A权利要求书2/2页10.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，还在所述第二重布线层上形成导电连接件，所述导电连接件凸出所述隔离材料层的表面。3CN115966474A说明书1/6页扇出型封装结构的制备方法技术领域[0001]本发明