扇出型封装结构及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111653493A(43)申请公布日2020.09.11(21)申请号201910160329.7(22)申请日2019.03.04(71)申请人中芯长电半导体（江阴）有限公司地址214437江苏省无锡市江阴市长山大道78号(72)发明人赵海霖周祖源吴政达林正忠(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人罗泳文(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称扇出型封装结构及其制作方法(57)摘要本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，结构包括：衬底；封装单元，所述封装单元包括重新布线层及器件结构，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面，所述重新布线层的第一面具有介质层，所述器件结构连接于所述重新布线层的第二面，所述器件结构固定于所述衬底上。本发明提供了一种可以有效减小介质层去除过程中的翘曲度的封装结构及方法。本发明可以减小翘曲的影响，保证刻蚀速度和均匀性，提高产品收率。本发明可以避免传统工艺中晶圆边缘的介质层的翘曲及起皮等现象，从而避免介质层起皮等现象对腔室造成的污染。本发明可以采用电浆去胶工艺去除介质层，相比于昂贵的干法蚀刻设备来说，可大大降低设备及工艺成本低。CN111653493ACN111653493A权利要求书1/2页1.一种扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一封装结构，所述封装结构包括重新布线层，所述重新布线层的第一面具有介质层，第二面连接有器件结构；2)切割所述封装结构，获得独立的封装单元；3)提供一衬底，将所述封装单元转移并固定于所述衬底上；4)采用干法工艺去除所述介质层，以显露所述重新布线层的金属互连层；5)去除所述衬底。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：步骤1)所述介质层包括聚合物介质层。3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述聚合物介质层包括聚酰亚胺。4.根据权利要求2所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：步骤4)所述干法工艺包括干法刻蚀工艺、电浆去胶工艺及干法抛光工艺中的一种。5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：步骤1)包括：1-1)提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；1-2)于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层具有介质层的第一面与所述分离层连接；1-3)于所述重新布线层的第二面形成器件结构；1-4)基于所述分离层剥离所述重新布线层及所述支撑基底，露出所述介质层。6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。7.根据权利要求5所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述分离层包括光热转换层，步骤1-4)采用激光照射所述光热转换层，以使所述光热转换层与所述重新布线层及所述支撑基底分离，进而剥离所述封装层及所述支撑基底。8.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述重新布线层的金属互连层表面还具有种子层，步骤4)在去除所述介质层后，还包括去除所述种子层的步骤。9.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤6)，于显露的所述金属互连层表面形成有机保焊膜。10.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤6)，采用化学镀工艺于显露的所述金属互连层表面形成金层。11.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述器件结构包括天线结构，所述天线结构包括：金属馈线柱，采用电镀或化学镀的方法形成于所述重新布线层上；封装层，包覆所述金属馈线柱，且其顶面显露所述金属馈线柱；天线金属层，形成于所述封装层上，所述天线金属层与所述金属馈线柱连接。12.根据权利要求11所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述金属馈线柱的径向宽度介于100微米～1000微米之间。13.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：2CN111653493A权利要求书2/2页衬底；封装单元，所述封装单元包括重新布线层及器件结构，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面，所述重新布线层的第一面具有介质层，所述器件结构连接于所述重新布线层的第二面，所述器件结构固定于所述衬底上。14.根据权利要求13所述的扇出型封装结构，其特征在于：所述介质层包括聚合物介质层。15.根据权利要求14所述的扇出型封装结构，其特征在于：所述聚合物介质层包括聚酰亚胺。16.根据权利要求13所述的扇出型封装结构，其特征在于：所