TMV结构的制备方法、大板扇出型异构集成封装结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111106013A(43)申请公布日2020.05.05(21)申请号201911050901.0(22)申请日2019.10.31(71)申请人广东芯华微电子技术有限公司地址528225广东省佛山市南海区狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A座科研楼A208-1室(72)发明人崔成强李潮杨斌(74)专利代理机构广州鼎贤知识产权代理有限公司44502代理人刘莉梅(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L21/60(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/66(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称TMV结构的制备方法、大板扇出型异构集成封装结构及其制备方法(57)摘要本发明公开一种TMV结构的制备方法，包括以下步骤：提供芯片塑封板，在芯片塑封板的非芯片区域沿芯片塑封板的厚度方向开设盲孔；在盲孔内填充金属填充柱；对芯片塑封板远离盲孔开口的一侧面进行研磨抛光处理，使金属填充柱远离该侧面的一端与芯片塑封板的表面平齐，形成TMV结构。本发明可制得高质量、高可靠性的TMV结构，与传统的TMV结构采用通孔沉积制备方法相比，盲孔填充成本低，可改善TMV结构通孔填充缝隙问题，降低虚填概率，提高封装质量与可靠性，降低生产成本；本发明还公开了大板扇出型异构集成封装结构的制备方法，采用该方法可制得低成本、小型化、高集成度的大板扇出型异构集成封装结构，可提高垂直互连结构的可靠性。CN111106013ACN111106013A权利要求书1/1页1.一种TMV结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供芯片塑封板，在所述芯片塑封板的非芯片区域沿所述芯片塑封板的厚度方向开设盲孔；S2、在所述盲孔内填充金属填充柱；S3、对所述芯片塑封板远离所述盲孔开口的一侧面进行研磨抛光处理，使所述金属填充柱远离该侧面的一端与所述芯片塑封板的表面平齐，形成TMV结构。2.根据权利要求1所述的TMV结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用机械钻孔或者激光钻孔的方式开设所述盲孔。3.根据权利要求1所述的TMV结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述盲孔开设完成后，还需要采用等离子体或者溶液清洗所述盲孔以去除残渣。4.根据权利要求1所述的TMV结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，采用物理气相沉积、电镀填充、化学填充或者机械填充的方法填充所述盲孔，以形成所述金属填充柱。5.一种大板扇出型异构集成封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、利用板级技术制作芯片塑封板；S20、采用权利要求1至4任一项所述的TMV结构的制备方法制得所述TMV结构；S30、提供天线和IPD，在所述芯片塑封板远离其内部的芯片I/O接口的一侧面通过电镀制作与所述TMV结构连接的连接线路，并使所述天线和所述IPD与所述连接线路连接；S40、在所述芯片塑封板靠近其内部的芯片I/O接口的一侧面制作再布线层；S50、提供金属凸块，将所述金属凸块植入所述再布线层的焊盘区。6.根据权利要求5所述的大板扇出型异构集成封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S10具体包括以下步骤：S10a、提供载板和芯片，将所述芯片正面朝向所述载板，通过临时键合胶贴于所述载板沿其厚度方向的一侧；S10b、采用塑封料对所述芯片进行塑封，所述塑封料固化后形成塑封层；S10c、拆除所述载板和所述临时键合胶，制得所述芯片塑封板。7.根据权利要求5所述的大板扇出型异构集成封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S30中，将所述天线紧贴于所述芯片塑封板的表面并与所述连接线路电连接，将所述IPD贴装于所述连接线路远离所述芯片塑封板的一侧。8.根据权利要求5所述的大板扇出型异构集成封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S40具体包括以下步骤：S40a、通过真空溅射法于所述芯片塑封板与所述芯片的I/O接口平齐的一面制作种子层；S40b、通过图形电镀法在所述种子层上制作所述再布线层；S40c、于所述再布线层上制作阻焊层，并对所述阻焊层进行开孔处理，使所述再布线层的焊盘区外露。9.一种大板扇出型异构集成封装结构，其特征在于，采用权利要求5至8任一项所述的大板扇出型异构集成封装结构的制备方法制得。2CN111106013A说明书1/6页TMV结构的制备方法、大板扇出型异构集成封装结构及其制备方法技术领域[0001]本发明属于集成电路封装技术领域，涉及一种封装结构及其制备方法，具体涉及一种TMV结构的制作方法、包含该TMV结构的制备方法的大板扇出型异构集成封装结构的制备方法以及采用该制备方法制得的大板扇出型异构集成封装结构。背景技术[0002]随着电子产品小型化和集成化的潮流，微电子封装技