集成电路器件和制造其的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107393922A(43)申请公布日2017.11.24(21)申请号201710243381.X(22)申请日2017.04.14(30)优先权数据10-2016-00535222016.04.29KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人M.坎托罗权兑勇朴栽永黄东勋李汉基刘素罗(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人翟然(51)Int.Cl.H01L27/088(2006.01)权利要求书3页说明书18页附图36页(54)发明名称集成电路器件和制造其的方法(57)摘要如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内，鳍式有源区域可以从基板凸出，并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。CN107393922ACN107393922A权利要求书1/3页1.一种集成电路器件，包括：在器件间隔离区域的第一部分与第二部分之间的器件区域中的至少一个鳍式有源区域，所述至少一个鳍式有源区域从所述器件区域中的基板凸出并且在第一方向上延伸；在所述器件区域中的多个内隔离层，所述多个内隔离层在所述至少一个鳍式有源区域的侧壁上并且在所述第一方向上延伸；以及在所述器件间隔离区域中的外部深沟槽中的外隔离层，其中所述多个内隔离层中的至少一个从所述器件区域远离并朝所述外部深沟槽延伸。2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述外隔离层具有接触所述多个内隔离层中的最外面的内隔离层的倾斜侧壁，以及其中所述倾斜侧壁是倾斜的使得所述至少一个鳍式有源区域与所述外隔离层的所述倾斜侧壁之间的距离随着所述倾斜侧壁接近所述基板而越短。3.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述外隔离层包括：接触最外面的内隔离层的侧壁并且平行于所述至少一个鳍式有源区域延伸的鳍式绝缘部分；沿所述基板的表面从所述鳍式绝缘部分延伸的下绝缘部分；以及在所述鳍式绝缘部分上且在所述下绝缘部分上以及在所述外部深沟槽中的外间隙填充绝缘层。4.如权利要求3所述的集成电路器件，其中所述鳍式绝缘部分在交叉所述第一方向的第二方向上具有比所述至少一个鳍式有源区域的宽度更小的宽度。5.如权利要求3所述的集成电路器件，其中所述多个内隔离层的每一个包括在所述至少一个鳍式有源区域的所述侧壁的至少一个上的绝缘衬垫，以及其中所述鳍式绝缘部分与所述最外面的内隔离层的所述绝缘衬垫直接接触。6.如权利要求3所述的集成电路器件，其中所述鳍式绝缘部分具有接触所述最外面的内隔离层的所述侧壁的倾斜侧壁，以及其中所述倾斜侧壁是倾斜的使得与所述至少一个鳍式有源区域的间隔距离随着所述鳍式绝缘部分越靠近所述基板而越短。7.如权利要求3所述的集成电路器件，其中所述鳍式绝缘部分在与所述第一方向正交的第二方向上具有越靠近所述基板而越大的宽度。8.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述外隔离层包括其间带有所述器件区域的彼此间隔开的两个鳍式绝缘部分，以及其中所述两个鳍式绝缘部分接触所述多个内隔离层当中位于所述器件区域相反的最外侧的所述内隔离层的相应的侧壁并且平行于所述至少一个鳍式有源区域延伸。9.如权利要求8所述的集成电路器件，其中所述两个鳍式绝缘部分具有相同的高度。10.如权利要求8所述的集成电路器件，其中所述两个鳍式绝缘部分具有不同的高度和不同的宽度。11.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述外隔离层包括位于所述器件区域的仅一侧的鳍式绝缘部分，以及其中所述鳍式绝缘部分接触最外面的内隔离层的侧壁并且平行于所述至少一个鳍式有源区域延伸。2CN107393922A权利要求书2/3页12.一种集成电路器件，包括：在基板的器件区域中并且在第一方向上延伸的鳍式有源区域；在所述器件区域中在具有第一深度的沟槽中的内隔离层，所述内隔离层在所述鳍式有源区域的侧壁上；以及在所述器件区域周围在具有比所述第一深度更深的第二深度的外部深沟槽中的外隔离层，所述外隔离层接触所述内隔离层，其中所述内隔离层从所述器件区域远离并朝所述外隔离层延伸，其中所述外隔离层具有接触所述内隔离层的倾斜侧壁，以及其中所述倾斜侧壁是倾斜的使得所述鳍式有源区域与所述外隔离层的所述倾斜侧壁之间的距离随着所述倾斜侧壁越靠近所述基板而越短。13.如权利要求12所述的集成电路器件，其中所述外隔离层包括接触所述内隔离层并且沿平行于所