制造集成电路器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109390218A(43)申请公布日2019.02.26(21)申请号201810768330.3(22)申请日2018.07.13(30)优先权数据10-2017-01017142017.08.10KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人姜栋薰姜东佑朴文汉柳志昊张钟光(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人金拟粲王华芹(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/033(2006.01)H01L21/8238(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图27页(54)发明名称制造集成电路器件的方法(57)摘要公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。CN109390218ACN109390218A权利要求书1/3页1.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成含碳的膜；在所述含碳的膜上形成含硅的有机抗反射膜，由此在所述基板上形成由所述含碳的膜和所述含硅的有机抗反射膜构成的堆叠掩模结构体；蚀刻所述含硅的有机抗反射膜，从而形成使所述含碳的膜的选定部分暴露的含硅的有机抗反射图案；使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜以形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面；和通过由所述复合掩模限定的多个空间将作为杂质的离子注入到所述基板中。2.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳的膜包括如下有机化合物：所述有机化合物具有基于所述有机化合物的总重量的85重量％-99重量％的碳含量，和所述含硅的有机抗反射膜包括具有10重量％-50重量％的硅含量的交联聚合物。3.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅的有机抗反射图案的形成包括用包含其中x和y各自为1-10的整数并且z为0-10的整数的CxFyHz的气体对所述含硅的有机抗反射膜进行等离子体蚀刻。4.如权利要求1所述的方法，其中所述复合掩模的形成包括用包括含硫气体的蚀刻气体对所述含碳的膜进行等离子体蚀刻，和所述轮廓控制衬料包括硫。5.如权利要求4所述的方法，其中所述含硫气体包括COS、CS2、SO2、或其组合。6.如权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻气体进一步包括O2。7.如权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻气体进一步包括O2，和在所述含碳的膜的等离子体蚀刻期间，所述含硫气体是以第一流速供应的且所述O2是以等于或大于所述第一流速的第二流速供应的。8.如权利要求1所述的方法，其中所述复合掩模具有限定所述多个空间的内侧壁表面，和所述内侧壁表面基本上垂直于所述基板的主表面。9.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在已经将所述离子注入到所述基板中之后，使用包括H2SO4的第一蚀刻剂除去所述含硅的有机抗反射图案，和使用具有与所述第一蚀刻剂的组成不同的组成的第二蚀刻剂除去所述复合掩模。10.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板的多个活性区域上形成堆叠掩模结构体，所述堆叠掩模结构体包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面，其中所述复合掩模是通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成的；使用所述复合掩模作为离子注入掩模将作为杂质的离子注入到所述多个活性区域的一些中；和2CN109390218A权利要求书2/3页除去所述含硅的有机抗反射图案和所述复合掩模。11.如权利要求10所述的方法，其中所述基板具有PMOS晶体管区域和NMOS晶体管区域，所述复合掩模被形成为覆盖所述PMOS晶体管区域和所述NMOS晶体管区域之一，但是不覆盖所述PMOS晶体管区域和所述NMOS晶体管区域的另一个；和将所述离子注入到所述PMOS晶体管区域和所述NMOS晶体管区域的所述另一个中。12.如权利要求10所述的方法，其中所述含碳的膜和所述含硅的有机抗反射膜各自通过旋涂形成。13.如权利要求10所述的方法，其中所述堆叠掩模结构体的所述含碳的膜的厚度为所述含硅的有机抗反