清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106909032A(43)申请公布日2017.06.30(21)申请号201610997545.3H01L21/311(2006.01)(22)申请日2016.11.09(30)优先权数据10-2015-01850902015.12.23KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人金珠英朴贞珠朴珍罗惠燮(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人金拟粲(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)G03F7/00(2006.01)C11D11/00(2006.01)C11D1/66(2006.01)权利要求书4页说明书12页附图10页(54)发明名称清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法(57)摘要公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。CN106909032ACN106909032A权利要求书1/4页1.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基底上形成光刻胶膜；使所述光刻胶膜暴露于光；通过使暴露于光的所述光刻胶膜显影而形成光刻胶图案；和通过使用清洗液清洗所述光刻胶图案，所述清洗液包括表面活性剂，所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。2.如权利要求1中所述的方法，其中，在清洗所述光刻胶图案时，所述表面活性剂的侧链中的所述至少一个亲水性官能团化学键合至暴露于所述光刻胶图案的侧壁上的亲水性基团，由此所述表面活性剂的主链和所述光刻胶图案保持彼此间隔开，其中所述表面活性剂的侧链中的所述至少一个亲水性官能团在所述主链和所述光刻胶图案之间。3.如权利要求1中所述的方法，其中所述具有支化结构的化合物为由式1表示的化合物：[式1]其中X1、X2和X3各自为亲水性基团；R1、R2和R3各自独立地为包含取代或未取代的C1-C6烷基的基团、包含取代或未取代的C1-C6杂烷基的基团、包含取代或未取代的C2-C6烯基的基团、包含取代或未取代的C2-C6杂烯基的基团、包含取代或未取代的C6-C30芳基的基团、包含取代或未取代的C6-C30杂芳基的基团、包含取代或未取代的C2-C20炔基的基团、或包含取代或未取代的C2-C20杂炔基的基团；Y1和Y2各自独立地为包含C1-C6烷氧基的基团、包含C1-C6烷硫基的基团、包含C1-C6烷基羰基氨基的基团、包含羟基的基团、包含C1-C6烷基的基团、卤素原子、包含C2-C6酰基的基团、包含C2-C6酰氧基的基团、包含C2-C6烷氧羰基的基团、包含C6-C30芳基的基团、包含氰基的基团、或包含硝基的基团；和p为0-2的整数。4.如权利要求3中所述的方法，其中X1、X2和X3各自包括阴离子型亲水性基团、阳离子型亲水性基团、非离子型亲水性基团、或其组合；R1、R2和R3为疏水性基团；和Y1和Y2各自为疏水性连接基团。5.如权利要求1中所述的方法，其中：所述清洗液包括所述表面活性剂和去离子水，和所述表面活性剂以100ppm-5,000ppm的量存在于所述清洗液中，基于所述清洗液的总量。6.如权利要求1中所述的方法，其中所述清洗液包括：2CN106909032A权利要求书2/4页所述表面活性剂；去离子水；和从修整剂、溶解抑制剂和分散剂之中选择的至少一种添加剂。7.如权利要求6中所述的方法，其中所述添加剂包括作为修整剂的氢氧化四丁基铵(TBAH)、作为溶解抑制剂的胺、作为分散剂的氢氧化铵、或其组合。8.如权利要求3中所述的方法，其中所述具有支化结构的化合物为由式2或3表示的化合物：[式2]其中在式2中，l、m和n各自为1-5的整数；[式3]其中在式3中，m为1或2，且n为1-4的整数。9.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基底上形成光刻胶膜；通过使所述光刻胶膜暴露于光和使所述光刻胶膜显影而形成具有亲水性侧壁的光刻胶图案；通过使用去离子水第一次清洗所述光刻胶图案；和通过如下第二次清洗所述光刻胶图案：将清洗液施加至所述光刻胶图案上，所述清洗液包括表面活性剂，所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链，在所述光刻胶图案的第二次清洗期间，所述表面活性剂的所述多个侧链中的所述至少一个亲水性官能团能化学键合至所述光刻胶图案的亲水性侧壁。10.如权