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集成电路器件及其制造方法.pdf
2023-06-03
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依波****bc
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本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括电容器结构，其中电容器结构包括：在基板之上的底电极；在底电极的侧壁上的支撑物；在底电极和支撑物上的电介质层；以及在电介质层上并覆盖底电极的顶电极。底电极包括：基底电极层，在基板之上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；以及导电覆盖层，包括铌氮化物，在基底电极层的侧壁与电介质层之间以及在基底电极层的顶表面与电介质层之间。
2023-06-03
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公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。
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集成电路器件、无线通信单元及其制造方法.pdf
集成电路器件（200）包括至少一个射频（RF）收发器模块（210）。该至少一个RF收发器模块（210）包括多个低噪声放大器（LNA）（220、223、226）,在其输入（221、224、227）处可操作地耦合于集成电路器件（200）的外部接触（202、204）并且被设置为从相应的外部接触（202、204）接收RF信号、放大接收的RF信号、以及输出（222、225、228）放大的RF信号。至少一个收发器模块（210）还包括多个功率放大器（PA）模块（230、235），在其输出（231、236）处可操作地耦合
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本申请公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件通过将阻变层覆盖在凸块结构的外侧，因为在其工艺制备过程中该层不会被蚀刻工艺损伤，所以避免了在电操作过程中由蚀刻工艺破坏形成的强壮且单一导电细丝的可能性。此外，该半导体集成电路器件增加了全面覆盖器件的热保温层(TEL)使得器件更容易形成多条弱导电细丝，从而达到调节脉冲控制电导连续变化的目的，进而可更好地作为模拟型存储器，应用于CIM等场景。
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