加工半导体晶片的方法和覆盖半导体晶片的保护覆盖件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107634003A(43)申请公布日2018.01.26(21)申请号201710576245.2H01L27/04(2006.01)(22)申请日2017.07.14(30)优先权数据102016112977.12016.07.14DE(71)申请人英飞凌科技股份有限公司地址德国瑙伊比贝尔格市(72)发明人弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯罗兰德·鲁普(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人丁永凡张春水(51)Int.Cl.H01L21/30(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书3页说明书41页附图21页(54)发明名称加工半导体晶片的方法和覆盖半导体晶片的保护覆盖件(57)摘要根据不同的实施方式，方法能够包括：加工半导体晶片(102，202)，所述半导体晶片具有第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b)，所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置；其中半导体晶片(102，202)在第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s)，所述电路区域具有至少一个电子电路。根据不同的实施方式，用于加工半导体晶片(102，202)的方法能够包括：形成至少部分地包围至少一个电路区域(102s)的加固结构(106)，所述加固结构加固半导体晶片(102，202)，其中加固结构(106)至少在至少一个电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a)；从第二主工艺侧(102b)起打薄具有加固结构(106)的半导体晶片(102，202)。CN107634003ACN107634003A权利要求书1/3页1.一种用于加工半导体晶片(102，202)的方法，其中所述半导体晶片(102，202)具有：·第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b)，所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置；·其中所述半导体晶片(102，202)在所述第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s)，所述电路区域具有至少一个电子电路(104)；其中所述方法包括：·形成至少部分地包围至少一个所述电路区域(102s)的加固结构(106)，所述加固结构加固所述半导体晶片(102，202)，其中所述加固结构(106)至少在至少一个所述电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a)；·从所述第二主工艺侧(102b)起打薄具有所述加固结构(106)的所述半导体晶片(102，202)。2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在所述留空部(106a)中形成填充体(402)，所述填充体与所述电路区域(102s)实体接触，并且所述填充体与所述加固结构(106)不同；和/或在所述留空部(106a)之上形成加固结构覆盖件(306)，其中所述加固结构(106)设置在所述加固结构覆盖件(306)和所述电路区域(102s)之间。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述填充体(402)包括：将材料置于所述留空部(106a)中，和/或使所述材料在所述留空部中固化，同时所述半导体晶片(102，202)具有所述加固结构(106)。4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述材料穿过所述加固结构覆盖件(306)的开口(306o)和/或穿过所述加固结构(106)的开口(106o)引入到所述留空部(106a)中。5.根据权利要求3或4所述的方法，其中形成所述填充体(402)包括：将可变形的外罩置于所述留空部(106a)中，所述外罩在所述留空部中借助于所述材料变形。6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中形成所述填充体(402)包括：使所述填充体(402)匹配于所述电路区域(102s)的形貌。7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中所述填充体(402)具有叠层和/或具有比所述加固结构(106)更大的孔隙度。8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法，其中与所述加固结构(106)相比，所述填充体(402)具有与所述电路区域(102s)的更小的附着性。9.根据权利要求2至8中任一项所述的方法，所述方法还包括：从所述加固结构(106)移除所述加固结构覆盖件(306)；和借助于所述加固结构覆盖件(306)形成附加的半导体晶片(102，202)，所述附加的半导体晶片具有附加的电路区域(102s)。10.根据权利要求2至9中任一项所述的方法，所述方法还包括：2CN107634003A权利要求书2/3页将所述填充体(402)从所述留空部(106a)中引出；和将所述填充体(402)引入到附加的半导体晶片(102，202)的留空部(106a)中，所述附加的半导体晶片具有附加的电路区域(102s)。11.根据权利要求1至10