半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112020764A(43)申请公布日2020.12.01(21)申请号201980025203.7(74)专利代理机构北京北新智诚知识产权代理(22)申请日2019.03.22有限公司11100代理人刘秀青(30)优先权数据2018-0773702018.04.13JP(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/304(2006.01)2020.10.12G01B11/24(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2019/0119542019.03.22(87)PCT国际申请的公布数据WO2019/198458JA2019.10.17(71)申请人胜高股份有限公司地址日本东京都港区芝浦一丁目2番1号(72)发明人村上贤史高梨启一权利要求书2页说明书11页附图6页(54)发明名称半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法(57)摘要本发明提供一种半导体晶片的评价方法，包括：制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及对上述轮廓曲线进行二次微分，评价对象的半导体晶片为在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，上述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓，该半导体晶片的评价方法还包括基于根据由上述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价上述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。CN112020764ACN112020764A权利要求书1/2页1.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括：制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及对所述轮廓曲线进行二次微分；评价对象的半导体晶片是在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，所述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示：X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓；所述半导体晶片的评价方法还包括基于根据由所述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价所述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括：确定位于由所述二次微分得到的二次微分曲线的峰值区域的曲线上的Y轴的值相同的两点的X轴的值；在所述二次微分前的轮廓曲线的所述曲线部分中，将X轴的值为所述确定的值的两点间的区域确定为圆拟合区域；使圆与所述圆拟合区域的轮廓形状拟合来制作圆；以及将所述制作的圆的尺寸作为所述指标。3.根据权利要求2所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括在评价对象的半导体晶片的多个不同部位中分别求出所述圆的尺寸，将在所述多个不同部位中求出的多个圆的尺寸的代表值作为指标，评价所述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。4.根据权利要求3所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述代表值为所述多个圆的尺寸的平均值。5.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括确定位于由所述二次微分得到的二次微分曲线的峰值区域的曲线上的Y轴的值相同的两点的X轴的值，将该确定的两点间的X轴方向的距离作为所述指标。6.根据权利要求2～5中的任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，确定所述两点的X轴的值的Y轴的值为：将Y轴的值为0的位置作为0％，将所述峰值区域的峰值深度或峰值高度作为100％，深度或高度为40～80％的位置的Y轴的值。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括使用从所述一个表面侧的上方对评价对象的半导体晶片进行显微镜观察而获取的位置坐标信息来制作所述轮廓曲线。8.根据权利要求7所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括通过激光显微镜进行所述显微镜观察。9.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：制造作为产品出厂的备选的半导体晶片；通过权利要求1～8中的任一项所述的评价方法评价所述备选的半导体晶片；以及将评价的结果判定为合格品的半导体晶片交付用于作为产品半导体晶片出厂的准备。10.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：制造包括多个半导体晶片的半导体晶片批次；2CN112020764A权利要求书2/2页从所述半导体晶片批次中抽出至少一个半导体晶片；通过权利要求1～8中的任一项所述的评价方法评价所述抽出的半导体晶片；以及将与所述评价的结果判定为合格品的半导体晶片相同的半导体晶片批次的半导体晶片交付用于作为产品半导体晶