半导体晶片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110707008A(43)申请公布日2020.01.17(21)申请号201910564922.8(22)申请日2019.06.27(30)优先权数据2018-1309812018.07.10JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人若原匡俊F·韦(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人乔婉于靖帅(51)Int.Cl.H01L21/3065(2006.01)H01L21/304(2006.01)H01L21/268(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图15页(54)发明名称半导体晶片的加工方法(57)摘要提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。CN110707008ACN110707008A权利要求书1/2页1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，该半导体晶片的加工方法具有如下的步骤：器件形成步骤，形成多个半导体器件和分割预定线，该半导体器件具有功能层，该功能层包含布线层和位于该布线层的上方的金属电极并且该功能层形成在半导体晶片的正面上，该分割预定线位于该功能层上并且对多个该半导体器件进行划分；保护层包覆步骤，利用绝缘性的保护层包覆该功能层的正面，形成器件晶片；激光加工槽形成步骤，沿着该分割预定线照射对于该功能层和该半导体晶片具有吸收性的波长的激光束，将该半导体晶片、该保护层以及该功能层部分地去除而使该半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；掩模层形成步骤，利用掩模层将残留在该激光加工槽以外的该保护层中的除了该金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤，隔着该掩模层而对该保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使该金属电极露出；第2蚀刻步骤，隔着第1蚀刻步骤后的该掩模层而对该激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，将从该掩模层露出的该功能层和该半导体晶片的一部分去除而使该激光加工槽在宽度方向和深度方向上扩展；以及分割步骤，沿着通过该第2蚀刻步骤而进行了扩展的该激光加工槽将该半导体晶片分割成器件芯片。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，该掩模层形成步骤中所形成的位于该激光加工槽的周边的该掩模层的该激光加工槽侧的缘部后退至比该激光加工槽的缘部靠外侧的位置，该激光加工槽的周边的该保护层的上部从该掩模层露出。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，该半导体晶片的加工方法还具有如下的步骤：水溶性树脂包覆步骤，在该保护层包覆步骤之后且在该激光加工槽形成步骤之前，利用水溶性树脂包覆该器件晶片的正面；以及清洗步骤，在该激光加工槽形成步骤之后且在该掩模层形成步骤之前，对该器件晶片进行清洗而将该水溶性树脂与该激光加工槽形成步骤中所产生的碎屑一起去除。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，该分割步骤是如下的切削步骤：利用切削刀具沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的该激光加工槽对该半导体晶片进行切削。5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，在该第2蚀刻步骤中进行了扩展的该激光加工槽从该半导体晶片的该正面起形成至超过该器件芯片的完工厚度的深度为止，在该分割步骤中，对该半导体晶片的位于与该正面相反的一侧的背面进行磨削而将该半导体晶片加工成完工厚度，并且沿着在该第2蚀刻步骤中进行了扩展的该激光加工槽对该半导体晶片进行分割。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，该半导体晶片的加工方法还具有如下的凸块形成步骤：在通过该第1蚀刻步骤而露出2CN110707008A权利要求书2/2页的该金属电极上形成凸块。3CN110707008A说明书1/10页半导体晶片的加工方法技术领域[0001]本发明涉及半导体晶片的加工方法，将半导体晶片沿着对多个半导体器件进行划分的分割预定线分割。背景技术[0002]通常半导体器件具有半导体晶片和形成于半导体晶片的正面上的功能层。该功能层包含：布线层；设置于布线层上的金属电极；以及在上下方向上分别夹着布线层和金属电极的层间绝缘膜。[0