半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102848303A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102848303A(43)申请公布日2013.01.02(21)申请号201210069407.0(22)申请日2012.03.15(30)优先权数据146049/20112011.06.30JP(71)申请人株式会社东芝地址日本东京都(72)发明人田久真也清水纪子藤田努(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人陈海红段承恩(51)Int.Cl.B24B37/04(2012.01)H01L21/304(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书44页页附图附图33页(54)发明名称半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片(57)摘要本发明提供半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片。通过实施例公开半导体晶片加工方法。该方法包括以下工序：用第一砂轮或刀片对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽的工序；用第二砂轮对所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述半导体晶片的背面与所述槽一体地形成凹部的工序；和用第三砂轮进一步对包含由所述第二砂轮研磨出的研磨面的所述凹部的底面进行研磨的工序。CN102843ACN102848303A权利要求书1/2页1.一种半导体晶片的加工方法，包括如下工序：(a)用第一砂轮或刀片对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽的工序；(b)用第二砂轮对所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述半导体晶片的背面形成与所述槽一体的凹部的工序；和(c)用第三砂轮进一步对包含由所述第二砂轮研磨出的研磨面的所述凹部底面进行研磨的工序。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，所述第二砂轮的粒度比所述第一砂轮或刀片以及所述第三砂轮的各粒度粗。3.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，由所述第一砂轮或刀片研磨出的研磨面的表面粗糙度Ry为0.1μm～2.5μm，由所述第二砂轮研磨出的研磨面的表面粗糙度Ry为3.0μm以上，由所述第三砂轮研磨出的研磨面的表面粗糙度Ry为0.5μm以下。4.根据权利要求3所述的半导体晶片的加工方法，其中，由所述第一砂轮或刀片研磨出的研磨面的表面粗糙度Ry为0.1μm～2.0μm。5.根据权利要求3所述的半导体晶片的加工方法，其中，由所述第二砂轮研磨出的研磨面的表面粗糙度Ry为3.1μm～4.0μm。6.根据权利要求3所述的半导体晶片的加工方法，其中，由所述第三砂轮研磨出的研磨面的表面粗糙度Ry为0.1μm～0.4μm。7.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，用所述第二砂轮研磨所述槽内侧的凸部的深度为所述槽的深度以下。8.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，所述槽形成为，其外周成为所述半导体晶片表面的半导体元件形成区域的外侧。9.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，从所述半导体晶片的外缘部到所述槽的外周为止的距离D1为2.0mm～2.5mm。10.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，所述槽的宽度W为100μm～1.0mm。11.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，所述第一砂轮或刀片的所述半导体晶片的研磨余量T1为25μm～600μm。12.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，由所述第三砂轮研磨出的研磨面至少包含由所述第二砂轮研磨出的研磨面。13.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，所述第三砂轮的旋转轨道最外周的直径比所述第二砂轮的大。14.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其中，所述第三砂轮的所述半导体晶片的研磨余量T3为20μm～100μm。15.一种半导体晶片的加工装置，具备：第一砂轮或刀片，其研磨在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部以形成环状的槽；第二砂轮，其对通过所述第一砂轮或刀片而形成的所述槽内侧的凸部进行研磨以在所2CN102848303A权利要求书2/2页述半导体晶片的背面与所述环状的槽一体地形成凹部；和第三砂轮，其对所述凹部的底面进行研磨。16.根据权利要求15所述的半导体晶片的加工装置，其中，所述第二砂轮的粒度比所述第一砂轮或刀片以及所述第三砂轮的各粒度粗。17.一种半导体晶片，其中，在所述半导体晶片的表面形成有半导体元件，在所述半导体元件的背面具有凹部，所述凹部具有：所述半导体晶片背面侧的具有第一侧面与第一底面的大直径部；和所述半导体晶片背面侧的具有第二侧面与第二底面的小直径部，所述第一侧面与所述第一底面的表面粗糙度Ry为0.1μm～2.5μm，所述第二侧面与所述第二底面的表面粗糙度Ry为0.5μm以下。18.根据权利要求17所述的半导体晶片，其中，所述槽的底面与所述半导体晶片表